[发明专利]一种多比特存储装置以及电子设备

权利要求书

1.一种多比特存储装置，其特征在于，所述多比特存储装置包括控制器和存储器；

所述控制器用于对所述存储器的存储模式进行切换；其中，所述存储模式至少包括所述多比特存储装置固有的第一存储模式和不同于所述第一存储模式的第二存储模式；

所述控制器还用于在所述第一存储模式下将写入数据以所述第一存储模式存储于所述存储器中，或在所述第二存储模式下将写入数据以所述第二存储模式存储于所述存储器中；

其中，在所述第一存储模式和所述第二存储模式下，一个存储单元至少存储2bit数据。

2.根据权利要求1所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述控制器具体用于向所述存储器发送设定命令，以使所述多比特存储装置的存储模式由第一存储模式切换为第二存储模式。

3.根据权利要求2所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述控制器还用于在存储模式切换成第二存储模式后，依次循环向所述存储器发送写命令码、地址、数据包和编程命令码，以实现数据的写入。

4.根据权利要求1所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述控制器具体用于依次向所述存储器发送模式切换命令码、写命令码、地址、目标数据包、编程命令码，以实现存储模式的切换以及所述目标数据包的写入。

5.根据权利要求1所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述控制器具体用于基于所述第二存储模式的存储方式，对存储地址进行相应的修正，并依次循环向所述存储器发送写命令码、修正地址、目标数据包、编程命令码，以实现数据包的写入。

6.根据权利要求5所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述多比特存储装置的每个存储单元包括第一数量个存储页，所述第一存储模式为对所述多比特存储装置的每个存储单元的每个存储页依次写入数据；

所述第二存储模式对应的存储器的每个存储单元包括第二数量个存储页；其中，所述第二数量小于所述第一数量。

7.根据权利要求6所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述控制器具体用于对存储地址进行相应的修正，以使在所述多比特存储装置中的每个存储单元中，仅有第二数量个存储页被写入数据。

8.根据权利要求1所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述多比特存储装置为QLC NAND存储器；

所述第一存储模式为QLC存储模式，所述第二存储模式为MLC存储模式或TLC存储模式。

9.根据权利要求1所述的多比特存储装置，其特征在于，

所述第一存储模式为TLC存储模式，所述第二存储模式为MLC存储模式。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-9任一项所述的多比特存储装置。