[发明专利]一种多比特存储装置以及电子设备

说明书

本申请公开了一种多比特存储装置以及电子设备，其中，该多比特存储装置包括控制器和存储器；控制器用于对存储器的存储模式进行切换；其中，存储模式至少包括多比特存储装置固有的第一存储模式和不同于第一存储模式的第二存储模式；控制器还用于在第一存储模式下将写入数据以第一存储模式存储于存储器中，或在第二存储模式下将写入数据以第二存储模式存储于存储器中。通过上述方式，可以使一个存储器具有多种不同的存储模式，可以满足更多的存储场景，使存储器更加多功能化。

技术领域

本申请涉及存储技术领域，特别是涉及一种多比特存储装置以及电子设备。

背景技术

随着半导体工艺和技术的进步，各种不同存储方式的存储器已经开始慢慢进入公众的视野。

其中，nand flash存储器是flash(闪存)存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。nand flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。

但是，现有的nand flash存储器一般包括基于自身型号的存储模式或者最基础的SLC存储模式。

发明内容

本申请主要提供一种多比特存储装置以及电子设备，能够解决现有技术中存储器的存储模式单一的问题。

本申请采用的一种技术方案是提供一种多比特存储装置，该多比特存储装置包括控制器和存储器；控制器用于对存储器的存储模式进行切换；其中，存储模式至少包括多比特存储装置固有的第一存储模式和不同于第一存储模式的第二存储模式；控制器还用于在第一存储模式下将写入数据以第一存储模式存储于存储器中，或在第二存储模式下将写入数据以第二存储模式存储于存储器中；其中，在第一存储模式和第二存储模式下，一个存储单元至少存储2bit数据。

其中，控制器具体用于向存储器发送设定命令，以使多比特存储装置的存储模式由第一存储模式切换为第二存储模式。

其中，控制器还用于在存储模式切换成第二存储模式后，依次循环向存储器发送写命令码、地址、数据包和编程命令码，以实现数据的写入。

其中，控制器具体用于依次向存储器发送模式切换命令码、写命令码、地址、目标数据包、编程命令码，以实现存储模式的切换以及目标数据包的写入。

其中，控制器具体用于基于第二存储模式的存储方式，对存储地址进行相应的修正，并依次循环向存储器发送写命令码、修正地址、目标数据包、编程命令码，以实现数据包的写入。

其中，多比特存储装置的每个存储单元包括第一数量个存储页，第一存储模式为对多比特存储装置的每个存储单元的每个存储页依次写入数据；第二存储模式对应的存储器的每个存储单元包括第二数量个存储页；其中，第二数量小于第一数量。

其中，控制器具体用于对存储地址进行相应的修正，以使在多比特存储装置中的每个存储单元中，仅有第二数量个存储页被写入数据。

其中，多比特存储装置为QLC NAND存储器；第一存储模式为QLC存储模式。

其中，第二存储模式为TLC存储模式。

本申请采用的另一种技术方案是提供一种电子设备，该电子设备包括如上述的多比特存储装置。

本申请提供的多比特存储装置包括控制器和存储器；控制器用于对存储器的存储模式进行切换；其中，存储模式至少包括多比特存储装置固有的第一存储模式和不同于第一存储模式的第二存储模式；控制器还用于在第一存储模式下将写入数据以第一存储模式存储于存储器中，或在第二存储模式下将写入数据以第二存储模式存储于存储器中。通过上述方式，可以使一个存储器具有多种不同的存储模式，可以满足更多的存储场景，使存储器更加多功能化。

附图说明