[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

第一步：在衬底基板上形成第一金属层，对第一金属层进行图案化形成位于像素区域内的栅极和与栅极连接的扫描线、位于端子区域内的栅极；

第二步，在第一金属层上覆盖并形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成有源层，再在有源层上形成源漏电极层；

第三步：在上述第二步的基础上覆盖并形成第一保护层，再在第一保护层上覆盖并形成有机绝缘层，对有机绝缘层进行图案化形成位于像素区域内的第一开口和位于端子区域内的第二开口；第一开口暴露出需要形成第一接触孔位置的第一保护层，第二开口用于暴露出需要形成端子接触孔位置的第一保护层；

第四步：在有机绝缘层上沉积第一透明导电层，对第一透明导电层进行图案化形成位于像素区域内的公共电极；

第五步：在上述第四步的基础上沉积第二保护层；在像素区域内，分两次刻蚀对第二保护层和第一保护层进行图案化形成第一接触孔，第一接触孔位于第一开口内；同时在端子区域内，分两次刻蚀对第二保护层、第一保护层和栅极绝缘层进行图案化形成端子接触孔，端子接触孔位于第二开口内；

第六步：在第二保护层上沉积第二透明导电层，对第二透明导电层进行图案化形成像素电极；在像素区域内，像素电极通过第一接触孔与源漏电极层电性连接；其中第五步中所述的分两次刻蚀包括一段刻蚀和二段刻蚀，一段刻蚀刻蚀掉第一接触孔内的第二保护层和端子接触孔内的第二保护层，二段刻蚀刻蚀掉第一接触孔内的第一保护层、端子接触孔内第一保护层和栅极绝缘层；二段刻蚀完成后，第一接触孔侧壁处的第一保护层形成第一坡度角，第一接触孔侧壁处的第二保护层形成第二坡度角，第一坡度角的大小小于第二坡度角的大小。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：第一坡度角的大小为20～30°，第二坡度角的大小为65～75°。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述第二步中在栅极绝缘层上沉积半导体材料，在半导体材料上沉积形成第二金属层，再在第二金属层上形成光阻层，通过半透掩膜光罩同时对半导体材料进行图案化形成半导体层，对第二金属层进行图案化形成源漏电极层，最后对光阻层进行剥离。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：

所述半透掩膜光罩包括位于端子区域内的全透区、位于像素区域内的半透区以及均位于像素区域内和端子区域内的不透区；像素区域内，半透区位于像素区域的沟道区域上方且位于不透区之间，半透区的透光率为15％～50％；端子区域内，不透区位于栅极的上方且位于全透区之间；

所述第二步中栅极绝缘层上沉积半导体材料，在半导体材料上沉积形成第二金属层，再在第二金属层上沉积光阻层，使用所述半透掩膜光罩对光阻层进行曝光和显影，光阻层在半透掩膜光罩的不透区所对应的位置，形成厚光阻层覆盖的像素区域，且形成厚光阻层覆盖的端子区域；光阻层在半透掩膜光罩的半透区所对应的位置，形成薄光阻层覆盖的像素区域；光阻层在半透掩膜光罩的全透区所对应的位置，形成无光阻层覆盖的端子区域；

进行第一次刻蚀，使得无光阻层覆盖的端子区域内第二金属层被刻蚀完，同时像素区域内位于沟道区域上方的薄光阻层被灰化干净，暴露出沟道区域的第二金属层；

进行第二次刻蚀，使无光阻层覆盖的端子区域内半导体材料被刻蚀完。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：半导体材料为金属氧化物半导体，第二次刻蚀使用的刻蚀液只能刻蚀所述半导体材料，而不能刻蚀第二金属层。