[发明专利]信号传输电路及方法、集成电路在审
申请号: | 201811434151.2 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN111244051A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 林祐贤 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H03K19/0175;H03K19/0185 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 传输 电路 方法 集成电路 | ||
1.一种信号传输电路,其特征在于,所述信号传输电路包括:
输入模块,用于响应第一控制信号和时钟信号而产生第一检测信号;
传递链,包括多级串联的传递模块,且所述传递链中相邻的所述传递模块通过硅通孔连接,所述传递链一端的所述传递模块和所述输入模块连接,多级所述传递模块响应时钟信号而逐级传递所述第一检测信号;
多个信号输出端,每级所述传递模块的第一检测信号输入端对应连接一信号输出端。
2.如权利要求1所述的信号传输电路,其特征在于,所述输入模块包括:
第一触发器,输入端连接所述第一控制信号,时钟端连接时钟信号;
与门单元,第一输入端连接所述第一控制信号,第二输入端连接所述第一触发器的非输出端。
3.如权利要求1所述的信号传输电路,其特征在于,所述传递模块包括:
第二触发器,输入端连接第一检测信号,时钟端连接所述时钟信号;
第三触发器,输入端连接第二触发器的输出端,时钟端连接所述时钟信号。
4.如权利要求3所述的信号传输电路,其特征在于,所述传递链中相邻的两级传递模块通过硅通孔连接,其中一级传递模块的第三触发器的输出端连接于所述硅通孔的第一端,另一级传递模块的第二触发器的输入端连接于所述硅通孔的第二端。
5.如权利要求1所述的信号传输电路,其特征在于,所述输入模块设置于集成电路的基底芯片层,集成电路每层芯片层中均设置有所述传递模块。
6.如权利要求5所述的信号传输电路,其特征在于,所述信号传输电路还包括:
第一检测硅通孔串,包括多个串联的硅通孔,用于将所述第一控制信号由顶层芯片层传输至基底层芯片层。
7.如权利要求1所述的信号传输电路,其特征在于,所述信号传输电路还包括:
模式选择模块,第一输入端连接所述第一检测信号,第二输入端连接第二检测信号,控制端连接第一控制信号,第一输出端和所述传递模块的输入端连接,用于在所述第一控制信号的控制下将所述第一检测信号传输至所述传递模块的输入端,第二输出端和所述传递模块的输出端连接,用于在所述第一控制信号的控制下将所述第二检测信号传输至所述传递模块的输出端,所述第一检测信号和所述第二检测信号通过同一硅通孔传输至相邻的芯片层,所述第二检测信号分别连接所述多个信号输出端。
8.如权利要求7所述的信号传输电路,其特征在于,所述模式选择模块包括:
第一开关单元,第一端连接所述输入模块的输出端,第二端连接所述传递模块的输入端,控制端连接所述第一控制信号;
第二开关单元,第一端连接所述第二检测信号,第二端连接所述传递模块的输出端,控制端连接所述第一控制信号。
9.如权利要求8所述的信号传输电路,其特征在于,所述第一开关单元为N型金属氧化物半导体场效应晶体管,所述第二开关单元为P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
10.如权利要求7所述的信号传输电路,其特征在于,所述模式选择模块包括:
第一反相器,输入端连接第一控制信号;
第二反相器,输入端连接所述第一反相器的输出端;
第一开关单元,第一端连接所述第一检测信号,第二端连接所述传递模块的输入端,第一控制端连接所述第一反相器的输出端,第二控制端连接所述第二反相器的输出端;
第二开关单元,第一端连接所述第二检测信号,第二端连接所述传递模块的输出端,第一控制端连接所述第二反相器的输出端,第二控制端连接所述第一反相器的输出端;
其中,第一开关单元和第二开关单元为互补金属氧化物半导体传输门。
11.如权利要求7所述的信号传输电路,其特征在于,所述信号传输电路包括:
多级模式选择模块,集成电路每层芯片层中设置一模式选择模块。
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