[发明专利]一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法有效
申请号: | 201811434371.5 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109756203B | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 广州市艾佛光通科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/54;G06F30/36 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 杨艳;韩丹 |
地址: | 510000 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 fbar 谐振 频率 振荡 薄膜 厚度 对应 关系 建立 方法 | ||
1.一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法,其特征在于,已知FBAR振荡薄膜各层厚度,对应谐振频率关系的建立,包括以下步骤:
根据FBAR理想压电层谐振条件,建立理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型;
根据机电耦合系数与FBAR谐振频率的对应关系,建立机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型;
针对FBAR滤波器中的每一个FBAR,获取每层结构的厚度,所述每层结构至少包括压电层、上电极层和下电极层;
将获取的每层结构的厚度转化为理想压电层厚度,代入理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型,获取FBAR并联谐振频率;
获得压电层所用材料的机电耦合系数,将所获得到的压电层所用材料的机电耦合系数和FBAR并联谐振频率代入机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型,获取FBAR串联谐振频率;
已知FBAR谐振频率,对应振荡薄膜各层厚度关系的建立,包括以下步骤:
根据FBAR理想压电层谐振条件,建立理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型;
根据机电耦合系数与FBAR谐振频率的对应关系,建立机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型;
获取FBAR滤波器的工作频率,根据FBAR滤波器的工作频率确定FBAR滤波器的工作频段,并根据所述工作频段和FBAR级联构造原理,确定FBAR滤波器中每个FBAR并联谐振频率和FBAR串联谐振频率;
将获取的FBAR并联谐振频率和FBAR串联谐振频率,代入理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型,获取理想压电层厚度;
根据实际压电层厚度比例,确定实际压电层厚度;
将获取的FBAR并联谐振频率和FBAR串联谐振频率,代入机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型,获取压电材料的机电耦合系数,并根据所述机电耦合系数,确定压电材料;
通过理想压电层厚度和确定的实际压电层厚度,获取等效压电层厚度;即理想压电层厚度减去确定的压电层厚度,剩余的厚度是电极和其他材料层等效的压电层厚度;
通过等效压电层厚度,结合除压电层外其他各层选用的材料,获取除压电层外其他各层材料厚度,所述除压电层外其他各层至少包括上电极层和下电极层;
其中,通过每层结构的厚度与理想压电层厚度的关系,建立起谐振频率和各层材料厚度的关系:
或
其中
2Ha=2ha+2h1+2h2+......+2hn (6)
其中,2hn(n=1,2,3……)为除压电层外各层材料的厚度,vn(n=1,2,3……)为所代表材料的纵波声速,2ha为压电层实际厚度。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在获取到FBAR并联谐振频率和串联谐振频率后,还包括步骤:获取所述FBAR滤波器的工作频率。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,根据FBAR理想压电层谐振条件,建立理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型,具体包括:
由理想压电层谐振条件公式:
获取理想压电层厚度:
其中,θ是相偏移角,k是波数,2Ha为理想压电层厚度,va为压电材料纵波声速,fp为FBAR并联谐振频率。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,根据机电耦合系数与FBAR并联谐振频率和串联谐振频率的对应关系,建立机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型,具体为:
kt2为机电耦合系数,fs为FBAR串联谐振频率。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,根据以下方法确定每个FBAR并联谐振频率和FBAR串联谐振频率:
根据所述FBAR滤波器的工作频率,由FBAR滤波器的工作频段,最大两倍于FBAR的谐振频率之差,确定FBAR的谐振频率之差;
对于串联FBAR,并联谐振频率fp为FBAR滤波器通带最高频,串联谐振频率fs为FBAR滤波器通带中频;对于并联FBAR,并联谐振频率fp为FBAR滤波器通带中频,串联谐振频率fs为FBAR滤波器通带最低频,从而确定FBAR并联谐振频率fp和串联谐振频率fs。
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