[发明专利]一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法有效

专利信息
申请号: 201811434371.5 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109756203B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 李国强 申请(专利权)人: 广州市艾佛光通科技有限公司
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H9/54;G06F30/36
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 杨艳;韩丹
地址: 510000 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 fbar 谐振 频率 振荡 薄膜 厚度 对应 关系 建立 方法
【说明书】:

发明公开了一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法,对于具有双声学反射镜面FBAR,给出应用的要求频率,既定各层材料的厚度,而已知各振荡薄膜层材料的厚度,工作频率也是确定的。本发明通过对FBAR的谐振频率和振荡薄膜各层材料的厚度对应关系建立,使两者可进行相互推导预测。在FBAR的设计中,对确定的频率,而对各振荡层薄膜厚度进行预测,以及,对确定的各振荡层薄膜厚度,而对谐振频率进行预测,提供一种简单的,快速有效的方法,能够加快研发和生产进度。

技术领域

本发明涉及射频技术和FBAR滤波器技术领域,具体涉及一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法。

背景技术

为满足更多通信功能和更好的通信体验,现代通信技术需要满足更高的效率和集成化的要求。由FBAR级联构造的滤波器,具有高Q值,低插损,矩形系数好,方向选择性好,具有很好的零深,带外抑制好等等性能上的优势,而且,体积小,与COMS工艺兼容,可以做集成。另外的,工作频率可以做到高频,因此,由FBAR级联构造的滤波器,能够很好的满足现代通信技术的这些要求。

FBAR(film bulk acoustic resonator,薄膜腔声谐振)是具有压电效应材料和能够形成(逆)压电效应结构的所构造的元器件。使用硅底板、借助MEMS技术以及薄膜技术而制造出来的。FBAR的工作原理是,在电极-压电材料-电极组成的“三明治”结构构成的核心部分中,通过在电极施加电压,压电材料产生形变,而当施加的是交变电压时,此时结构会产生逆压电效应。这个过程中,电能转化成机械能,通过声波在结构中传播,而在引起振动的同时,振动也会产生电信号,即通过压电效应,把机械能转化成电能,信号输出来。压电效应和逆压电效应同时存在,相互作用,并在相互作用的过程能够产生谐振,从而把信号选择出来。

目前,针对FBAR滤波器的研究和设计制造,并没有很好的方法去进行谐振频率和各层薄膜厚度预测,从而理论设计需要借助其他多种工具和方法来得到结果,而另一方面,又导致不能通过将目前检测性能良好的FBAR滤波器进行研究,进一步进行验证并指导新的FBAR滤波器的设计和制造。

发明内容

针对现有技术中存在的问题,本发明实施例提供一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法,已知FBAR振荡薄膜各层厚度,对应谐振频率关系的建立。可以通过获得FBAR滤波器中各FBAR各层厚度,从而预测FBAR的谐振频率,并获取FBAR滤波器的工作频率。通过将预测的FBAR谐振频率与实际的谐振频率进行比较从而实现对检测良好的FBAR滤波器的研究,为进一步设计FBAR滤波器提供设计对比参数,从而指导对FBAR滤波器的设计和制造。

本发明实施例提供一种FBAR谐振频率和振荡薄膜各层厚度对应关系建立方法,已知FBAR振荡薄膜各层厚度,对应谐振频率关系的建立,包括以下步骤:

根据FBAR理想压电层谐振条件,建立理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型;

根据机电耦合系数与FBAR谐振频率的对应关系,建立机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型;

针对FBAR滤波器中的每一个FBAR,获取每层结构的厚度,所述每层结构至少包括压电层、上电极层和下电极层;

将获取的每层结构的厚度转化为理想压电层厚度,代入理想压电层与FBAR并联谐振频率的关联模型,获取FBAR并联谐振频率;

获得压电层所用材料的机电耦合系数,将所获得到的压电层所用材料的机电耦合系数和FBAR并联谐振频率代入机电耦合系数与FBAR谐振频率的关联模型,获取FBAR串联谐振频率。

优选地,在获取到FBAR并联谐振频率和串联谐振频率后,还包括步骤:获取所述FBAR滤波器的工作频率。

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