[发明专利]反相器有效
申请号: | 201811434485.X | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN111245429B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 徐薪承;曹太和;林柏青 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁丽超;田喜庆 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反相器 | ||
1.一种反相器,包含:
一控制电压产生电路,耦接一输入端,该控制电压产生电路用来依据该输入端的一输入电压产生复数个控制电压,其中该复数个控制电压包含一第一群控制电压与一第二群控制电压,该第一群控制电压与该第二群控制电压的其中一群包含复数个递减电压,该第一群控制电压与该第二群控制电压的另一群包含复数个相同电压;
一高电压传输电路,耦接于一高电压端与一输出端之间,该高电压传输电路用来于该输入电压为一低准位电压时,依据该第一群控制电压而导通,从而该输出端的一输出电压等于该高电压端的一高电压;以及
一低电压传输电路,耦接于该输出端与一低电压端之间,该低电压传输电路用来于该输入电压为一高准位电压时,依据该第二群控制电压而导通,从而该输出端的该输出电压等于该低电压端的一低电压,
其中,该控制电压产生电路包含:
一第一电压产生电路,用来产生该第一群控制电压;当该输入电压为该低准位电压时,该第一电压产生电路输出复数个第一相同电压作为该复数个相同电压;当该输入电压为该高准位电压时,该第一电压产生电路输出该复数个递减电压;以及
一第二电压产生电路,用来输出该第二群控制电压;当该输入电压为该低准位电压时,该第二电压产生电路输出该复数个递减电压;当该输入电压为该高准位电压时,该第二电压产生电路输出复数个第二相同电压作为该复数个相同电压。
2.如权利要求1所述的反相器,其中该高电压传输电路包含复数个第一型晶体管,该低电压传输电路包含复数个第二型晶体管,该复数个第一型晶体管与该复数个第二型晶体管的每一个对应一额定电压,该复数个第一相同电压等于该高电压减去该额定电压,该复数个第二相同电压等于该额定电压。
3.如权利要求1所述的反相器,其中该高电压传输电路包含复数个第一型晶体管,该低电压传输电路包含复数个第二型晶体管,该复数个第一型晶体管与该复数个第二型晶体管的每一个对应一额定电压。
4.如权利要求3所述的反相器,其中该高准位电压和/或该高电压大于该额定电压的M倍但不大于该额定电压的M+1倍,该M为正整数。
5.如权利要求4所述的反相器,其中该复数个第一型晶体管的数目等于M+1,该复数个第二型晶体管的数目也等于M+1。
6.一种反相器,包含:
一控制电压产生电路,耦接一输入端,该控制电压产生电路用来依据该输入端的一输入电压产生复数个控制电压,其中该复数个控制电压包含一第一群控制电压与一第二群控制电压;
一高电压传输电路,包含复数个第一型晶体管,该高电压传输电路耦接于一高电压端与一输出端之间,用来于该输入电压为一低准位电压时,依据该第一群控制电压而导通,从而该输出端的一输出电压等于该高电压端的一高电压;以及
一低电压传输电路,包含复数个第二型晶体管,该低电压传输电路耦接于该输出端与一低电压端之间,用来于该输入电压为一高准位电压时,依据该第二群控制电压而导通,从而该输出端的该输出电压等于该低电压端的一低电压,
其中该复数个第一型晶体管与该复数个第二型晶体管的每一个对应一额定电压,该高准位电压和/或该高电压大于该额定电压的M倍但不大于该额定电压的M+1倍,该M为正整数,且该复数个第一型晶体管与该复数个第二型晶体管的每一个的任二端点的电压差不大于该额定电压,
并且其中,该控制电压产生电路包含:
一第一电压产生电路,用来于该输入电压为该低准位电压时输出复数个第一相同电压以控制该复数个第一型晶体管,并用来于该输入电压为该高准位电压时输出复数个递减电压以控制该复数个第一型晶体管;以及
一第二电压产生电路,用来于该输入电压为该低准位电压时输出该复数个递减电压以控制该复数个第二型晶体管,并用来于该输入电压为该高准位电压时输出复数个第二相同电压以控制该复数个第二型晶体管。
7.如权利要求6所述的反相器,其中该第一群控制电压与该第二群控制电压的其中一群包含复数个递减电压,该第一群控制电压与该第二群控制电压的另一群包含复数个相同电压。
8.如权利要求6所述的反相器,其中该复数个第一相同电压等于该高电压减去该额定电压,该复数个第二相同电压等于该额定电压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞昱半导体股份有限公司,未经瑞昱半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811434485.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。