[发明专利]一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺

权利要求书

1.一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：

制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库；

制作基座和上盖的步骤中，基座由基板和焊环通过银铜焊料结合而成，焊环和基板之间的空腔为内腔体，内腔体的尺寸为2.55*1.85*0.34mm，上盖能够密封在内腔体的开口处，采用陶瓷片制作基板和焊环，通过银铜焊料相结合后，再在需焊接部分镀金层，采用金属制作上盖；

切割晶片的步骤中，对石英水晶棒进行高精度切割，切割成晶片，晶片的长度为2.10～2.202mm，宽度为1.49～1.59mm，厚度是0.15～0.208mm，晶片边缘倒边，晶片边缘的厚度为0.10～0.13mm，晶片的平均阻抗为68～140Ω；

镀膜的步骤中，进入镀膜机中进行镀膜，其中，电极的尺寸为1.4*1.3mm；

点胶的步骤中，在基座的内腔体底部设置下胶点，晶片固定在下胶点上，在对应下胶点的位置处，且晶片的上方设置上胶点，上胶点和下胶点的直径为0.25～0.30mm；

封焊的步骤中，上盖密封在基座上；

前洗→排片→后洗的步骤中，通过超声波清洗机对晶片进行第一次清洗，接着通过排片机对晶片进行排片，再对排片过后的晶片进行第二次清洗。

2.根据权利要求1所述的SMD3225晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：第一次清洗和第二次清洗的时间为2～3h。

3.根据权利要求1所述的SMD3225晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：固化的步骤中，通过固化炉加热进行固化，固化炉中的温区设置：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，转速为25mm/min。

4.根据权利要求1所述的SMD3225晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：微调的步骤中，通过刮银的方式对晶体的频率进行调节。

5.根据权利要求1所述的SMD3225晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：点胶的步骤中，晶片与基座之间通过环氧树脂银胶进行连接导通。

6.根据权利要求1所述的SMD3225晶片的谐振器制造工艺，其特征在于：封焊的步骤中，上盖与已装晶片的基座之间通过电极热熔平行焊接密封。