[发明专利]一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺有效

专利信息
申请号: 201811434847.5 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109639254B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 彭年生;王秋贞;匡华强 申请(专利权)人: 江苏浩都频率科技有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/19
代理公司: 江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙) 32380 代理人: 曹键
地址: 214400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 smd3225 晶片 谐振器 制造 工艺
【说明书】:

发明公开了一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺,包括以下步骤:制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库,该SMD3225晶片的谐振器制造工艺中,晶片体积和电极面积增大,减少了晶片倒边厚度,降低了阻抗,同时增大了基座内腔体尺寸,以适应晶片尺寸;晶片边缘倒边且变薄,同时电极面圆角设计,以适应晶片边缘倒边,进而提高了产品的稳定性和可靠性,本发明设计合理,适合推广使用。

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺。

背景技术

目前行业水平对于SMD3225厚度为0.15~0.03mm(12M~54M)基频晶片的谐振器有成熟的制造工艺,但对于以基频振动方式切割的晶片,其厚度大于0.15mm的晶片由于晶片越厚,谐振器产品的阻抗越大,在应用时不易起振,不同激励功率下的电阻变化又大会造成应用不稳定,功率消耗大,且对于厚度0.208mm的SMD3225/8.000M晶片因基座的深度限制,在制造过程极易造成产品短路而不起振,以上是目前对于厚度大于0.15mm晶片的谐振器制造工艺技术难点很难突破的原因。

发明内容

本发明为了克服上述的不足,提供一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的:

一种SMD3225晶片的谐振器制造工艺,包括以下步骤:

制作基座和上盖→切割晶片→前洗→排片→后洗→镀膜→点胶→固化→微调→封焊→老化→回流焊→检漏→测试印字编带→包装→入库;

制作基座和上盖的步骤中,基座由基板和焊环通过银铜焊料结合而成,焊环和基板之间的空腔为内腔体,内腔体的尺寸为2.55*1.85*0.34mm,上盖能够密封在内腔体的开口处;

切割晶片的步骤中,对石英水晶棒进行高精度切割,切割成晶片,晶片的长度为2.10~2.202mm,宽度为1.49~1.59mm,厚度是0.15~0.208mm,晶片边缘倒边,晶片边缘的厚度为0.10~0.13mm,晶片的平均阻抗为68~140Ω;

镀膜的步骤中,进入镀膜机中进行镀膜,其中,电极的尺寸为1.4*1.3mm;

点胶的步骤中,在基座的内腔体底部设置下胶点,晶片固定在下胶点上,在对应下胶点的位置处,且晶片的上方设置上胶点,上胶点和下胶点的直径为0.25~0.30mm;

封焊的步骤中,上盖密封在基座上。

作为优选,前洗→排片→后洗的步骤中,通过超声波清洗机对晶片进行第一次清洗,接着通过排片机对晶片进行排片,再对排片过后的晶片进行第二次清洗。

作为优选,第一次清洗和第二次清洗的时间为2~3h。

作为优选,固化的步骤中,通过固化炉加热进行固化,固化炉中的温区设置:200℃-200℃-300℃-300℃-300℃,转速为25mm/min。

作为优选,微调的步骤中,通过刮银的方式对晶体的频率进行调节。

作为优选,点胶的步骤中,晶片与基座之间通过环氧树脂银胶进行连接导通。

作为优选,封焊的步骤中,上盖与已装晶片的基座之间通过电极热熔平行焊接密封。

作为优选,制作基座和上盖的步骤中,采用陶瓷片制作基板和焊环,通过银铜焊料相结合后,再在需焊接部分镀金层,采用金属制作上盖。

该SMD3225晶片的谐振器制造工艺中,做了以下改进:

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