[发明专利]一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺

说明书

本发明公开了一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃‑200℃‑300℃‑300℃‑300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm。本发明各温区的温度设计更高，在200℃与300℃中的持续时间更长，对增加产品固化牢固度及生产过程的应力释放效果更好，年老化率更加稳定；对固化炉每个温区的密封性能进行加密，使不增加液氮使用量的前提下降低固化炉的氧含量，实际可控在48±2ppm，解决了电极氧化的问题，本发明设计合理，适合推广使用。

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，具体涉及一种用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺。

背景技术

随着电子产品智能化程度越来越高，在不增加电子产品体积的情况下，对电子元器件的需求越来越趋向小型化，SMD20162016及以下规格的晶体谐振器深受市场青睐，但目前行业水平SMD20162520以上规格的晶体谐振器国内有成熟的制造工艺，而SMD20162016晶体谐振器大多依靠日本进口；国内品牌虽然在陆续研发并量产，但由于制造工艺不成熟，产品的良品率、电气特性、年老化率方面的稳定性都与日本工厂有较大的差距，主要是采用日本出厂的固化炉设备的设计工艺，固化炉的温区常规设置：180℃-180℃-240℃-240℃-240℃，走速35mm/min，氧含量标准<100ppm，所以目前市场的产品年老化率一般在±3ppm或±5ppm以内。

发明内容

本发明为了克服上述的不足，提供一种产品频率、电阻的老化率低的用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

用于SMD2016晶体谐振器固化炉的加热工艺，固化炉设置五个温区，五个温区分为第一温区、第二温区、第三温区、第四温区和第五温区，且五个温区分别对应的温度为：200℃-200℃-300℃-300℃-300℃，传送带移动速度为25mm/min，氧含量为48±2ppm；

在第一温区和第二温区中，持续时间在30-40min；

在第三温区、第四温区和第五温区中，持续时间在50-70min。

作为优选，五个温区中，氮气的含量为50ml。

作为优选，在200℃温度区间，温度范围为190-210℃。

作为优选，在300℃温度区间，温度范围为290-310℃。

本发明的有益效果是：相对于现有技术以及图1，本发明用于SMD2016晶体谐振器固化炉加热工艺具有以下特点：

1、各温区的温度设计更高，在200℃与300℃中的持续时间更长，对增加产品固化牢固度及生产过程的应力释放效果更好，年老化率更加稳定；

2、对固化炉每个温区的密封性能进行加密，使不增加液氮使用量的前提下降低固化炉的氧含量，实际可控在48±2ppm，解决了电极氧化的问题。

附图说明

本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：

图1是现有的固化炉加热工艺；

图2是本发明的固化炉加热工艺。

具体实施方式

现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。

实施例1：