[发明专利]像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件

权利要求书

1.一种像素隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在基板(200)的第一表面上形成导电层(210)，所述导电层(210)为网格结构，所述导电层(210)包括多个间隔设置的导电结构(201)，相邻所述导电结构(201)之间具有间隔区域(202)，且各所述导电结构(201)具有导电侧壁和导电上壁；

S2，在所述第一表面上的所述间隔区域(202)中形成完全覆盖于所述导电侧壁表面的第一绝缘侧壁(220)，形成所述第一绝缘侧壁(220)的材料为透明高分子材料，所述间隔区域(202)中除第一绝缘侧壁(220)之外的区域构成所述像素隔离结构的像素区域，

所述步骤S2还包括形成第二绝缘侧壁(230)的步骤，所述第二绝缘侧壁(230)位于所述导电侧壁与所述第一绝缘侧壁(220)之间，形成所述第二绝缘侧壁(230)的材料为无机材料，

所述步骤S2包括以下步骤：

在所述第一表面上沉积无机绝缘材料，以覆盖所述间隔区域(202)和所述导电层(210)；

对所述无机绝缘材料进行第二图案化处理，以使所述基板(200)与所述间隔区域(202)对应的表面的部分裸露，得到完全覆盖所述导电侧壁的第二侧壁预备层(231)，所述间隔区域(202)中未被所述第二侧壁预备层(231)覆盖的区域构成第一裸露区域；

在所述基板(200)上沉积有机绝缘材料，以覆盖所述第一裸露区域和所述第二侧壁预备层(231)；

对所述有机绝缘材料进行第三图案化处理，以使所述基板(200)与所述第一裸露区域对应的表面的部分裸露，得到完全覆盖所述第二侧壁预备层(231)的第一侧壁预备层(221)；

对所述第一侧壁预备层(221)和所述第二侧壁预备层(231)进行第四图案化处理，以使所述导电层(210)的与所述第一表面平行的第二表面中的至少部分裸露，从而在所述基板(200)上形成所述第一绝缘侧壁(220)和所述第二绝缘侧壁(230)。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述导电层(210)为金属层或合金层；或

所述导电层(210)为非金属导电层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述导电层(210)的材料选自Cu、Al、Ag、Mo和Au中的任一种或多种。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述导电层(210)的材料为石墨烯和/或碳纳米管。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述第一绝缘侧壁(220)的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氨酯和聚氯乙烯中的任一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二绝缘侧壁(230)的材料包括SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄和BN中的任一种或多种。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二绝缘侧壁(230)的材料为SiO₂。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下步骤：

在所述第一表面上沉积导电材料，形成第一导电预备层(211)；

对所述第一导电预备层(211)进行第一图案化处理，以使所述基板(200)的部分表面裸露，形成多个所述导电结构(201)，各所述导电结构(201)之间具有所述间隔区域(202)，从而在所述第一表面上形成网格结构的所述导电层(210)。