[发明专利]像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件

说明书

本发明提供了一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件。该像素隔离结构包括：基板；导电层，设置于基板的第一表面上，导电层包括多个间隔设置的导电结构，相邻导电结构之间具有间隔区域，且各导电结构具有导电侧壁和导电上壁；第一绝缘侧壁，位于间隔区域中并完全覆盖于导电侧壁的表面，间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。在利用上述像素隔离结构形成顶发射显示器件后，上述导电上壁通过与顶部电极连接，能够作为辅助电极起到均匀电流的目的，避免了由于顶部透明电极较薄而产生的中心像素与边缘像素的电压差降，实现了电流的均匀分布，从而实现了顶发射显示器件的均匀发光。

技术领域

本发明涉及光电技术领域，具体而言，涉及一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件。

背景技术

在OLED/QLED屏幕制作中，由于底部发光结构受到开口率的影响，难以实现较高的分辨率，因此通过顶部发光结构实现高分辨率，目前常用的大尺寸OLED/QLED面板结构(即顶发射显示器件)采用2T1C的TFT顶发射结构，其结构如图1所示，通常包括一个TFT基板10＇以及设置于该TFT基板10＇上的像素隔离结构20＇，像素隔离结构20＇具有多个相互隔离的像素区域210＇，反射电极30＇和OLED/QLED功能层结构40＇顺序设置于各像素区域中，像素隔离结构与OLED/QLED结构的表面上设置有透明电极50＇，反射电极与透明电极共同控制OLED/QLED结构电致发光。

在制作顶发射OLED/QLED器件时，为了最大程度提高透过率，减少吸收率，往往使用Ag作为透明金属阴极，与屏幕的边缘电路连接，作为V_com电极，但是较薄的金属电阻较大，当屏幕尺寸较大时，易造成屏幕中心像素与边缘像素有电压差降，俗称IR drop问题，从而使电流分布不均匀，导致屏幕发光不均匀，屏幕越大，这种现象就越明显。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素隔离结构、其制备方法及具有其的顶发射显示器件，以解决现有技术中电致发光屏幕由于压降引起的大尺寸发光不均匀的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种像素隔离结构，包括：基板；导电层，设置于基板的第一表面上，导电层包括多个间隔设置的导电结构，相邻导电结构之间具有间隔区域，且各导电结构具有导电侧壁和导电上壁；第一绝缘侧壁，位于间隔区域中并完全覆盖导电侧壁的表面，间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。

进一步地，导电层为网格结构。

进一步地，导电层为金属层或合金层，优选形成导电层的材料选自Cu、Al、Ag、Mo和Au中的任一种或多种；或导电层为非金属导电层，优选形成导电层的材料为石墨烯和/或碳纳米管。

进一步地，形成第一绝缘侧壁的材料为透明高分子材料，优选形成第一绝缘侧壁的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氨酯和聚氯乙烯中的任一种或多种。

进一步地，像素隔离结构还包括第二绝缘侧壁，第二绝缘侧壁位于导电侧壁与第一绝缘侧壁之间，形成第二绝缘侧壁的材料为无机材料，优选形成第二绝缘侧壁的材料包括SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄和BN中的任一种或多种，更优选为SiO₂。

进一步地，第一绝缘侧壁和/或第二绝缘侧壁覆盖部分导电上壁。

根据本发明的另一方面，提供了一种像素隔离结构的制备方法，包括以下步骤：S1，在基板的第一表面上形成导电层，导电层包括多个间隔设置的导电结构，相邻导电结构之间具有间隔区域，且各导电结构于靠近间隔区域处具有导电侧壁；S2，在第一表面上的间隔区域中形成完全覆盖于导电侧壁表面的第一绝缘侧壁，间隔区域中除第一绝缘侧壁之外的区域构成像素隔离结构的像素区域。