[发明专利]半导体器件在审
申请号: | 201811439333.9 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN110161399A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 李瑞浩;伊霍州·沃茨佐夫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/27 | 分类号: | G01R31/27 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 姜长星;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描链 知识产权块 半导体器件 扫描输出 扫描输入 数据模式 模式生成电路 分析电路 结果模式 电连接 劣化 输出 | ||
1.一种半导体器件,包括:
处理块,包括一个或多个知识产权块;
扫描链块,电连接到所述一个或多个知识产权块,其中,扫描链块具有扫描输入端和扫描输出端;
模式生成电路,被配置为生成具有多个比特的数据模式并将数据模式输入到扫描链块的扫描输入端;
分析电路,被配置为基于从扫描链块的扫描输出端输出的结果模式来确定所述一个或多个知识产权块中的每一个的劣化程度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,数据模式包括第一值和第二值被规则地重复的比特模式,并且分析电路被配置为:通过将输入到扫描输入端的比特模式与从扫描输出端输出的结果模式进行比较,来确定所述一个或多个知识产权块中的每一个的劣化程度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,模式生成电路被配置为:将具有用于引起所述一个或多个知识产权块中的每一个的失败的超频频率的数据模式输入到扫描输入端;分析电路被配置为:基于从扫描输出端输出的结果模式确定所述一个或多个知识产权块中的每一个的劣化程度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,模式生成电路被配置为:生成具有第一频率的第一数据模式和具有与第一频率不同的第二频率的第二数据模式,并将第一数据模式和第二数据模式输入到扫描输入端;分析电路被配置为:基于响应于具有第一频率的第一数据模式而从扫描输出端输出的第一结果模式和响应于具有第二频率的第二数据模式而从扫描输出端输出的第二结果模式,来确定所述一个或多个知识产权块中的每一个的劣化程度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,分析电路被配置为:通过将在第一时刻从扫描输出端获得的第一结果模式与在第二时刻从扫描输出端获得的第二结果模式进行比较,来确定所述一个或多个知识产权块中的每一个的劣化程度,其中,第二时刻与第一时刻不同。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,模式生成电路包括高频时钟发生器,并且模式生成电路被配置为:使用从高频时钟发生器输出的时钟信号来生成数据模式,并将从高频时钟发生器输出的时钟信号提供给处理块。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:频率控制电路,被配置为:基于确定的劣化程度,调节提供给所述一个或多个知识产权块中的每一个的时钟信号的频率。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:电压控制电路,被配置为:基于确定的劣化程度,调节提供给所述一个或多个知识产权块中的每一个的驱动电压。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述一个或多个知识产权块包括第一知识产权块和第二知识产权块,其中,扫描链块包括电连接到第一知识产权块的第一扫描链和电连接到第二知识产权块的第二扫描链,其中,分析电路被配置为:通过将数据模式输入到第一扫描链来确定第一知识产权块的劣化程度,和/或通过将数据模式输入到第二扫描链来确定第二知识产权块的劣化程度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述一个或多个知识产权块包括处于激活状态的第一知识产权块和处于空闲状态的第二知识产权块,其中,扫描链块包括电连接到第一知识产权块的第一扫描链和电连接到第二知识产权块的第二扫描链,其中,分析电路被配置:通过仅将数据模式输入到第二扫描链来确定第二知识产权块的劣化程度。
11.一种半导体器件,包括:
处理块,包括第一知识产权块和第二知识产权块;
扫描链块,包括电连接到第一知识产权块的第一扫描链和电连接到第二知识产权块的第二扫描链;
感测电路,被配置为:通过将第一数据模式提供给第一扫描链,然后分析由第一扫描链响应于第一数据模式而输出的第一结果模式,来测量第一知识产权块的第一劣化程度,并且通过将第二数据模式提供给第二扫描链,然后分析由第二扫描链响应于第二数据模式而输出的第二结果模式,来测量第二知识产权块的第二劣化程度。
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