[发明专利]一种氧化铜薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化铜薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）将碱式碳酸铜溶于氨水,配制成铜氨络合物溶液；

2）将铜氨络合物溶液与电解质溶液混合均匀，制成喷印墨水，其中铜离子的浓度为0.001 ~ 0.2mol/L；所述电解质溶液为碳酸铵-乙二醇溶液，其中碳酸铵的浓度为0.01-0.2mol/L；电解质溶液中含有体积浓度为0.1%-2%的六氟异丙醇；

3）在喷针和基底之间施加电场，驱动喷印墨水从喷针尖端喷出，产生电喷雾，基底接收喷雾形成的液滴；所述基底为绝缘材质，且被加热以促进溶剂挥发和铜氨络合物分解形成氧化铜；基底放置在二维平台上，通过控制二维平台的移动在基底上喷印制备出氧化铜薄膜；所述喷印墨水由注射泵驱动，流速为30~500 uL/h；所述电解质溶液为碳酸铵-乙二醇溶液，其中碳酸铵的浓度为0.01-0.2 mol/L；电解质溶液中含有体积浓度为0.1%-2%的六氟异丙醇；

4）将3）制备的氧化铜薄膜在空气氛围下，在400-800^oC下加热烧结；所述喷针为一石英毛细管，内径为0.01-1mm；喷针尖端和基底表面之间的距离在0.5-6 mm之间，施加的电压在0.5-15kV之间，使喷针的尖端产生稳定的泰勒锥体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中在喷针的末端连接一个三通，三通一端连接喷印墨水管道，一端引出电极连接高压电源的正极；高压电源的负极与基底下放置的接收极相连。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所用基底为单晶硅，其表面有一层二氧化硅，厚度为4-400nm；基底下方是一电加热片，用于加热基底。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）的加热温度为190℃-275℃；所述步骤4）的烧结时间为1h - 5h。