[发明专利]一种氧化铜薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811441242.9 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN111239203B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 杨航;关亚风 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;B82Y30/00
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化铜 薄膜 制备 方法
【说明书】:

发明针对现有氧化铜薄膜制造成本高、工艺复杂、稳定性差的问题,提供一种氧化铜薄膜的制备方法。它基于电喷印原理,将铜氨络合物溶液与电解质溶液混合制成喷印墨水,在喷针和基底之间施加电场,驱动喷印墨水从喷针尖端喷出,产生电喷雾,在基底接收喷雾形成的液滴。加热的基底促进溶剂挥发和铜氨络合物分解形成氧化铜,形成致密的氧化铜薄膜。本制备方法简单,成膜厚度可控,成本相较于其它方法更加低廉,稳定性更好。

技术领域

本发明涉及纳米材料制备领域,具体地涉及制备氧化铜薄膜的制备方法。

背景技术

硫化氢(H2S)是一种剧毒气体,高浓度的硫化氢可以使人在数秒至数分钟内死亡,在低至亚ppm级浓度的硫化氢下长期暴露也会对人体健康产生极大影响。硫化氢具有很强的腐蚀性,在工业领域能够引起器件腐蚀和催化剂中毒。因此,工业生产、环境监测和日常生活等领域都有对硫化氢气体进行快速、高灵敏检测的需求。

现在常见的硫化氢传感器属于电导传感器,采用氧化铜薄膜作为传感膜,即通过气体在其表面的吸附造成的电导率变化来测量气体的浓度。现在主要的氧化铜薄膜制备技术有丝网印刷、旋涂、电纺丝、脉冲激光沉积(PLD)、化学气相沉积(CVD)、电化学法等,其中,丝网印刷、电纺丝方法制备的薄膜稳定性差;旋涂法不仅稳定性差还难以控制厚度;脉冲激光沉积和化学气相沉积方法需要昂贵的仪器设备,成本较高;电化学法需要以金属铜作为基底。因此,需要建立一种成本低廉、所需设备简单、制备过程简单、稳定性好的制备氧化铜薄膜的方法。

发明内容

本发明的目的在于针对现有氧化铜薄膜工艺制造成本高、工艺复杂的问题,提供一种易于实现、低成本、稳定性好的氧化铜薄膜制备方法。

本发明包括以下步骤:

1)将碱式碳酸铜溶于氨水,配制铜氨络合物溶液;

2)将铜氨络合物溶液与电解质溶液混合均匀,制成喷印墨水,其中铜离子的浓度为0.001~0.2mol/L;

3)在喷针和基底之间施加电场,驱动喷印墨水从喷针尖端喷出,产生电喷雾,在基底接收喷雾形成的液滴;所述基底为绝缘材质,且被加热以促进溶剂挥发和铜氨络合物分解形成氧化铜;基底放置在二维平台上,通过控制二维平台的移动在基底上喷印制备出氧化铜薄膜;

4)将3)制备的氧化铜薄膜在空气氛围下,在400-800℃下加热烧结。

所述步骤3)中在喷针的末端连接一个三通,三通一端连接喷印墨水管道,一端引出电极连接高压电源的正极;高压电源的负极与基底下放置的接收极相连。

所述电解质溶液为碳酸铵-乙二醇溶液,其中碳酸铵的浓度为0.01~0.2mol/L;电解质溶液中加入六氟异丙醇以抑制电喷印过程中的电晕放电,其中六氟异丙醇的体积含量为0.1%~2%。

所述基底为单晶硅,其表面有一层二氧化硅,厚度为4~400nm;基底下方是一电加热片,用于加热基底。

所述步骤3)的加热温度为190℃~275℃。

所述步骤4)的烧结时间为1h~5h。

所述喷针为一石英毛细管,内径为0.01~1mm;喷针尖端和基底表面之间的距离在0.5~6mm之间,施加的电压在0.5~15kV之间,使喷针的尖端产生稳定的泰勒锥体。

所述喷印墨水由注射泵驱动,流速为30~500μL/h。

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