[发明专利]密封结构及其制作方法和显示装置在审

专利信息
申请号: 201811441329.6 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN111244039A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 马涛;罗标;何为;杨成绍 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云;孟祥潮
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 密封 结构 及其 制作方法 显示装置
【说明书】:

一种密封结构及其制作方法和显示装置,该密封结构包括:衬底基板;位于衬底基板上的密封胶;以及位于衬底基板和密封胶之间且与密封胶接触的接触层。在该密封结构中,接触层的远离衬底基板的接触层表面在与密封胶接触的接触位置处是非平坦的。该密封结构具有较好的阻隔水汽的能力。

技术领域

本公开实施例涉及一种密封结构及其制作方法和显示装置。

背景技术

在显示领域,显示面板的阵列基板设置有多层绝缘层和通过该多层绝缘层隔开的多个导电层。例如,该多层绝缘层包括无机绝缘层和有机绝缘层,有机绝缘层相比无机绝缘层可以制作得更厚,从而可以用于减小存储电容、减小负载和功耗。

发明内容

本公开实施例提供一种密封结构及其制作方法和显示装置,该密封结构具有较好的阻隔水汽的能力。

本公开至少一个实施例提供一种密封结构,其包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的密封胶;以及位于所述衬底基板和所述密封胶之间且与所述密封胶接触的接触层,其中,所述接触层的远离所述衬底基板的接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处是非平坦的。

例如,所述接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处设置有至少一个接触层凹槽,所述密封胶延伸到所述至少一个接触层凹槽中。

例如,所述至少一个接触层凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,并且所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度不同。

例如,所述至少一个接触层凹槽包括多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽,并且多个所述第一凹槽和多个所述第二凹槽交错设置。

例如,所述至少一个接触层凹槽包括封闭的环形凹槽。

例如,所述的密封结构还包括:位于所述衬底基板和所述接触层之间的有机层,其中,所述有机层的远离所述衬底基板的有机层表面在所述密封胶所在位置处是非平坦的,以使所述接触层表面在所述接触位置处是非平坦的。

例如,所述有机层表面在所述密封胶所在位置处设置有至少一个有机层凹槽,所述接触层和所述密封胶都延伸到所述至少一个有机层凹槽中。

例如,所述至少一个有机层凹槽包括至少一个通孔和至少一个盲孔,所述通孔凹槽的深度等于所述有机层的厚度,所述盲孔凹槽的深度小于所述有机层的厚度。

例如,所述至少一个有机层凹槽包括多个通孔凹槽,每个所述通孔凹槽的深度等于所述有机层的厚度。

例如,所述密封结构包括:第一无机层,其位于所述衬底基板上;第二无机层,其位于所述第一无机层的远离所述衬底基板的一侧。所述第一无机层和所述第二无机层在所述衬底基板上的正投影都与所述密封胶在所述衬底基板上的正投影交叠;并且,所述第二无机层作为所述接触层,或者所述第一无机层和所述第二无机层都位于所述接触层和所述衬底基板之间。

例如,对同一干刻工艺,所述第一无机层的干刻速率小于所述第二无机层针的干刻速率。

例如,所述第一无机层和所述第二无机层的材料的化学组成相同,并且所述第一无机层的折射率大于所述第二无机层的折射率。

例如,所述第一无机层和所述第二无机层的材料都为二氧化硅,或者都为氮化硅,或者都为氮氧化硅。

例如,所述密封胶为光固化型密封胶。

本公开的至少一个实施例提供一种显示装置,其包括以上任一项实施例所述的密封结构。

本公开的至少一个实施例提供一种密封结构的制作方法,其包括:在衬底基板上形成接触层;以及在所述接触层上形成与所述接触层接触的密封胶,其中,所述接触层的远离所述衬底基板的接触层表面在与所述密封胶接触的接触位置处是非平坦的。

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