[发明专利]量子点发光二极管

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层，其特征在于，所述阴极靠近所述电子传输层的表面设置有第一离子液体材料层。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极、所述第一离子液体材料层与所述电子传输层叠形成。

3.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一离子液体材料层中包括一种或多种离子液体材料，所述离子液体材料为有机阳离子和无机阴离子组成的盐；其中，

所述有机阳离子选自烷基季铵离子、烷基季磷离子、烷基取代的咪唑离子、烷基取代的吡啶离子中的一种，所述无机阴离子选自卤素离子和无机酸阴离子中的一种。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述烷基季铵离子选自N,N-二乙基-N-甲基-N-(n-丙基)铵阳离子和N,N-二乙基-N-甲基-(2-甲氧乙基)铵阳离子中的一种；或者，

所述烷基季磷离子选自十四烷基三丁基磷阳离子、四羟甲基磷阳离子、乙基三丁基磷阳离子和四丁基磷阳离子中的一种；或者，

所述烷基取代的咪唑离子选自1-丁基-3-甲基咪唑阳离子、1-乙基-3-甲基咪唑阳离子、1-辛基-3-甲基咪唑阳离子、1-癸基-3-甲基咪唑阳离子、1-己基-3-甲基咪唑阳离子和1-甲基-3-正辛基咪唑阳离子中的一种；或者，

所述烷基取代的吡啶离子选自N-乙基吡啶阳离子、N-丁基吡啶阳离子、N-己基吡啶阳离子、N-辛基吡啶阳离子和N-甲基-N-丙基吡啶阳离子中的一种；或者，

所述卤素离子选自F^-、Cl^-、Br^-和I^-中的一种；或者，

所述无机酸阴离子选自BF₄^-、PF₆^-、CF₃SO₃^-、CF₃COO^-、(CF₃SO₂)₃C^-、(C₂F₅SO₂)₃C^-、(CF₃SO₂)₂N^-、NO₂^-、NO₃^-、ClO₄^-和C₈H₁₇SO₄^-中的一种。

5.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一离子液体材料层中，所述有机阳离子选自烷基季铵离子和烷基取代的咪唑离子中的一种。

6.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述有机阳离子为非对称阳离子；和/或

所述有机阳离子和无机阴离子之间形成有氢键。

7.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一离子液体材料层中的离子液体材料选自1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-乙基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-辛基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、氯化1-乙基-3-甲基咪唑、1-癸基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐、1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐、1-甲基-3-正辛基咪唑四氟硼酸盐和N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)四氟硼酸季铵盐中的至少一种。

8.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一离子液体材料层的厚度为：5-80nm。