[发明专利]量子点发光二极管

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管。所述量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层，所述阴极靠近所述电子传输层的表面设置有第一离子液体材料层。该器件中的离子液体材料层不仅提高了器件的发光性能，而且提高了器件的可设计性和使用寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum dots light-emitting diode,QLED)，是一种新兴的显示器件，其原理和结构与有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)相似：即量子点和有机/无机半导体在外加直流电场驱动下，激子复合发光的一种平板显示器件。对比OLED，QLED的特点在于其发光材料采用胶体法制备的量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是优异的光学性能。相对于有机荧光染料，胶体量子点具有光谱可调，发光强度大、色纯度高、单光源可激发多色荧光等优势，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。

由于QLED器件中，量子点和器件内部常用的金属纳米颗粒传输层材料一般采用溶液法制备，因此业内对QLED的产业化的合适工艺普遍认为是溶液法中的喷墨打印法，该制备工艺简单，材料利用率低，制备效率高，被认为是未来平板显示非常有潜力的新技术。虽然QLED与OLED相比具有众多优势，但是由于QD及部分传输层材料等都是溶液相的纳米颗粒，与OLED膜层的成熟蒸镀工艺相比，成膜性能不容易控制，容易出现覆盖不全或者“针孔”等膜层问题，这不仅会对器件产生漏电流，降低器件的发光性能，并且最重要的是这些缺陷区域会极大地影响器件的寿命。而根据目前业内的研究进展，QLED的器件效率已经达到市场化水平，但是器件寿命短的问题是制约QLED商业化的最大瓶颈，而此问题也是业内一致在努力解决的关键突破点。目前有报道通过改善封装方法、在ETL/Cathode界面引入绝缘高分子修饰层等途径提高器件寿命，但是提高效果不明显，且绝缘高分子层的引入反而会降低载流子的迁移率，以牺牲部分器件性能的基础上获得载流子的平衡和寿命的提高，这些方法虽然有一定效果但是并未能很好提高器件的寿命。

因此，现有技术还有待进一步的研究和发展。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有器件的阴极出现“针孔”现象，从而降低器件的发光效率和使用寿命的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层，所述阴极靠近所述电子传输层的表面设置有第一离子液体材料层。

本发明提供的量子点发光二极管中，在阴极靠近所述电子传输层的表面设置有第一离子液体材料层，因离子液体材料具有化学性质稳定、黏结度大、阻隔水氧能力强等特点，其形成一层致密的第一离子液体材料层后，一方面能够提高载流子传输，钝化阴极表面缺陷，从而降低器件内部载流子的传输势垒，提高器件的发光性能；同时第一离子液体材料层覆盖在阴极表面，有效地克服了阴极表面覆盖不全或存在针孔或表面不平整等导致的器件漏电流严重、器件寿命衰减迅速的问题，从而提高器件的使用寿命。

附图说明

图1为本发明一实施例的量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。