[发明专利]一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻

权利要求书

1.一种微调薄膜电阻阻值的调整方法，其特征在于，所述方法包括根据需要调整的电阻阻值在薄膜电阻内部设置若干个电阻调整斑，设置电阻调整斑后的薄膜电阻即为阻值调整后的电阻；

所述电阻调整斑通过激光烧蚀的方式制作而成；

激光烧蚀的方法包括步骤：

S1，在薄膜电阻原始设计文件的基础上，制作激光矩阵文件，输出激光调整电阻文件；

所述激光矩阵文件的制作方法采用分图层设计制作，使每个图层的电阻阻值调整量为定值，并且根据选择图层数量的不同，实现相应的电阻阻值调整量；

分图层设计制作的方法包括在薄膜电阻原始设计文件的基础上设计一个激光矩阵文件，该激光矩阵文件包括x个图层，每个图层上设计y个光斑，x个图层上的y个光斑经过激光矩阵文件输出进行激光烧蚀后成矩阵光斑，其中每一个激光矩阵文件的光斑直径可调；

S2，按照薄膜电阻原始设计文件制作成型薄膜电阻；

S3，测量成型薄膜电阻的阻值，并计算制作成的薄膜电阻阻值与设计电阻阻值偏差；

S4，根据电阻阻值偏差在激光调整电阻文件上选择相应激光矩阵文件进行激光。

2.如权利要求1所述的微调薄膜电阻阻值的调整方法，其特征在于，电阻调整斑的数量和直径由需要电阻调整量获得，电阻调整量的公式为：

△R= R_方xyD²/[W(W-yD)]

其中，R_方为薄膜电阻工艺方阻，x为电阻长方向上斑的数量，y为电阻宽方向上斑的数量，D为斑的直径，W为薄膜电阻宽。