[发明专利]一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻

说明书

本发明公开了一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻，其特征在于，所述方法包括根据需要调整的电阻阻值在薄膜电阻内部设置若干个电阻调整孔或斑，设置电阻调整孔或斑后的薄膜电阻即为阻值调整后的电阻。通过在电阻内部设置若干孔或斑的方式，避免了L型激光切割调整带来的调整后阻值与实际需求差别大的问题。

技术领域

本发明属于薄膜电阻制作技术领域，特别涉及一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻。

背景技术

薄膜电阻是印制电路板中较高端产品，通过光成像、药水蚀刻等一系列复杂流程，在制作出线路的同时，制作出一定尺寸的电阻膜面积，并且具备电阻元器件的相同功能，省去了安装器件的SMT，并且不占用印制电路板空间。如图1所示，成型后的薄膜电阻1示意图，薄膜电阻1阻值计算公式为

R＝R_方＊L/W

其中，R为电阻阻值，R方为薄膜电阻工艺方阻，L为薄膜电阻长，W为薄膜电阻宽。

传统的薄膜电阻工艺为仅通过控制电阻的长度与宽度来控制电阻阻值，因此成型后的阻值精度受限于薄膜电阻材料稳定性、光成像设备以及蚀刻设备精度，电阻精度能力难以提升，无法满足当前电子设备行业精密度日益严苛的需要。

当前行业内有一种激光微调电阻工艺，设计方案如下：

在成型的电阻上，从电阻边缘开始激光烧蚀出L型路径，形成含有L型沟道2的薄膜电阻，如图2所示，使电阻等效于两个梯形电阻12和一个矩形电阻11的串联，如图3。通过电阻的计算R＝R_方＊[L₁/W₁+(L－L₂)/(W－W₁)＊ln(W/W₁)]，设置L1、L2、W1参数，得到最终需要的电阻阻值。

但该工艺存在以下缺点：

1、调整电阻的关键参数中，L1、W1均受到电阻尺寸蚀刻精度、激光设备精度限制，在实际应用中由于图形偏位、激光对位偏位问题，导致L1、W1与设计值存在偏差，最终导致调整后的电阻阻值与预期不符问题；

2、上述激光调整电阻工艺，反应速度慢，需要根据成型后的实际电阻阻值，临时制作文件，无法预先设计，导致生产停滞；

3、采用以上工艺，同一个激光文件只能调整一个电阻值的电阻，当批量调整时，需要根据成型后的电阻实际阻值，制作大量的激光文件，增加了文件设计与生产操作转换文件的工作量。

上述现有的调整技术主要存在下述缺点对应导致原因如下：

1、采用L型激光切割调整，实际使用调整后阻值与实际需求差别大，受限于图形偏位、激光偏位；

2、采用L型激光切割调整，反应速度慢，需要测量成型后的实际电阻阻值，再制作文件，无法预先制作激光文件；

3、采用L型激光切割调整，不适宜批量制作，每一个电阻尺寸及电阻阻值需要使用一个单独文件，工作量大、效率过低。

发明内容

本发明为了避免图形偏位、设备偏位造成的调整电阻偏差，还为了避免电阻成型后再根据实测电阻临时出文件调整，导致的生产停滞问题，同时为了避免批量调整电阻导致的激光文件设计及生产操作转换文件繁琐导致的效率低下问题，提供了一种微调薄膜电阻阻值的调整方法及薄膜电阻。

本发明的技术方案为：

一种微调薄膜电阻阻值的调整方法，其特征在于，所述方法包括根据需要调整的电阻阻值在薄膜电阻内部设置若干个电阻调整孔、光斑或蚀斑，设置电阻调整孔或斑后的薄膜电阻即为阻值调整后的电阻。

进一步地，设置的若干个电阻调整孔或斑的方式包括单个或双个电阻调整孔或斑，或矩阵式电阻调整孔或斑。