[发明专利]一种基于光电集成的光控功率晶闸管在审
| 申请号： | 201811446297.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109309002A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 顾芳 | 申请（专利权）人： | 江苏明芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L29/74 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 衬底 制作 半导体 功率晶闸管 导电粘结 光电集成 加热处理 光控 深槽隔离 使用寿命 晶闸管 激活 申请 | ||
1.一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：包括以下制作步骤：
S1、在P-离子的半导体衬底内进行N-离子和P-离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N-离子的半导体衬底内进行P-离子和N-离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；
S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；
S3、将第一P阱和第二N阱进行导电粘结，将第二P阱和第一N阱进行导电粘结；
S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；
S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；
S6、对半导体衬底进行深槽隔离。
2.根据权利要求1所述的一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：所述第一次加热处理的温度为1050℃，加热时间为20mi n，之后依次进行慢速退火和快速退火。
3.根据权利要求2所述的一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：所述慢速退火将温度降至600℃，退火时间为7mi n。
4.根据权利要求2所述的一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：所述快速退火温度降至常温，退火时间为30s。
5.根据权利要求1所述的一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：所述第二次加热处理的温度为850℃，加热时间为10mi n，之后依次进行快速退火和慢速退火。
6.根据权利要求5所述的一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：所述快速退火温度降至500℃，退火时间为20s。
7.根据权利要求5所述的一种基于光电集成的光控功率晶闸管，其特征在于：所述慢速退火将温度降至常温，退火时间为5mi n。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
