[发明专利]一种基于光电集成的光控功率晶闸管在审

申请号：	201811446297.9	申请日：	2018-11-29
公开（公告）号：	CN109309002A	公开（公告）日：	2019-02-05
发明（设计）人：	顾芳	申请（专利权）人：	江苏明芯微电子股份有限公司
主分类号：	H01L21/332	分类号：	H01L21/332;H01L29/74
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	226100 江苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	离子衬底制作半导体功率晶闸管导电粘结光电集成加热处理光控深槽隔离使用寿命晶闸管激活申请
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【说明书】：

本申请公开了一种基于光电集成的光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行N‑离子和P‑离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二N阱进行导电粘结，将第二P阱和第一N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S6、对半导体衬底进行深槽隔离。由此，晶闸管使用寿命长，制作方法简单，制作效率高。

技术领域

本发明涉及晶闸管，尤其涉及一种基于光电集成的光控功率晶闸管的制作方法。

背景技术

晶闸管元件(thyristor)是一种用来保护电路(circuitry)的电子元件，其能使电路中的电子元件免于遭受不可预期的电压突波(surge)所干扰或破坏，其中电压突波例如是静电放电、雷电感应以及感应电压。因此，现今晶闸管元件被应用于许多电子装置，例如数据机、通用性串行总线(Universal Serial Bus，USB)、非对称数字用户回路(AsymmetricDigital Subscriber Line，ADSL)、路由器(router)以及数字视频转换盒(Set-Top Box，STB)等。

现有的晶闸管制作方法效率较低，使用寿命短。

发明内容

本发明的目的提供一种基于光电集成的光控功率晶闸管，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。

根据本发明的一个方面，提供一种基于光电集成的光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：

S1、在P-离子的半导体衬底内进行N-离子和P-离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N-离子的半导体衬底内进行P-离子和N-离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；

S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；

S3、将第一P阱和第二N阱进行导电粘结，将第二P阱和第一N阱进行导电粘结；

S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；

S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；

S6、对半导体衬底进行深槽隔离。

在一些实施方式中：所述第一次加热处理的温度为1050℃，加热时间为20min，之后依次进行慢速退火和快速退火。

在一些实施方式中：所述慢速退火将温度降至600℃，退火时间为7min。