[发明专利]一种适用于圆铁环的扩膜机构在审
申请号: | 201811448109.6 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109585341A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 吴拓;黄亮;孙涛涛 | 申请(专利权)人: | 芜湖益盈鼎裕自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市鸠江区衡*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁环 升降板 桌板 覆膜 载台 导向轴 螺纹套 丝杆 外侧设置 转动安装 作业效率 上螺纹 裁刀 芯粒 柱形 | ||
本发明公开了一种适用于圆铁环的扩膜机构,包括桌板和圆铁环;所述桌板的下侧设置有第一升降板,桌板上转动安装有丝杆,丝杆上螺纹连接有螺纹套,第一升降板与螺纹套固定连接,第一升降板的四周固定安装有若干导向轴;所述桌板的上侧设置有扩膜载台和第二升降板,第二升降板的底部与导向轴的上侧固定连接,第二升降板的上侧通过支柱与扩膜载台固定连接;所述圆铁环套设在扩膜载台上,且圆铁环上覆设有膜,所述第二升降板上位于扩膜载台的外侧设置有柱形裁刀。本发明可以直接对覆膜圆铁环进行扩膜作业,减少将芯粒转移到270mm的正方形覆膜铁环上的流程,不仅大大提升作业效率,同时节省270mm正方形铁环以及对其覆膜的成本。
技术领域
本发明涉及一种扩膜机构,具体是一种适用于圆铁环的扩膜机构。
背景技术
发光二极管简称为LED,由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光,因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光,磷化镓二极管发绿光,碳化硅二极管发黄光,氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。
目前LED业界扩膜,由于圆铁环内径为194mm,扩膜环外径为186mm,所以均采用先将芯粒从覆膜圆铁环上转移到长宽270mm的正方形覆膜铁环上之后,再进行扩膜,不仅操作复杂麻烦,而且需要另外生产270mm正方形铁环,增加企业生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于圆铁环的扩膜机构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种适用于圆铁环的扩膜机构,包括桌板和圆铁环;所述桌板的下侧设置有第一升降板,桌板上转动安装有丝杆,丝杆上螺纹连接有螺纹套,第一升降板与螺纹套固定连接,第一升降板的四周固定安装有若干导向轴,导向轴与桌板滑动连接;所述桌板的上侧设置有扩膜载台和第二升降板,第二升降板位于扩膜载台的下方,且第二升降板的底部与导向轴的上侧固定连接,第二升降板的上侧通过支柱与扩膜载台固定连接;所述圆铁环套设在扩膜载台上,且圆铁环上覆设有膜,所述第二升降板上位于扩膜载台的外侧设置有柱形裁刀。
作为本发明进一步的方案:所述桌板底部的四角处均固定安装有桌板支柱,桌板支柱上固定安装有伺服马达,伺服马达的输出端与丝杆固定连接。
作为本发明再进一步的方案:所述扩膜载台为圆盘结构,扩膜载台的内部设置有加热板。
作为本发明再进一步的方案:所述桌板上还固定安装有用于控制加热板温度的温控器。
作为本发明再进一步的方案:所述第二升降板上还固定安装有带动柱形裁刀上下移动的裁切气缸。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明在伺服马达工作时带动扩膜载台上下移动,扩膜载台为圆盘结构,扩膜载台的内部设置有加热板,所述圆铁环套设在扩膜载台上,且圆铁环上覆设有膜,圆铁环上的膜与扩膜载台接触后,利用扩膜载台的温度对圆铁环上之膜进行加热,到达设定时间后,扩膜载台在伺服马达的作用下,通过丝杆传动上升,达到设定高度后,进行扩膜扣环动作,随后裁切气缸10带动柱形裁刀3上升,将膜切断,完成扩膜动作,本发明无需将芯粒从覆膜圆铁环上转移到长宽270mm的正方形覆膜铁环上之后,再进行扩膜,可以直接对覆膜圆铁环进行扩膜作业,减少将芯粒转移到270mm的正方形覆膜铁环上的流程,不仅大大提升作业效率,同时节省270mm正方形铁环以及对其覆膜的成本。
附图说明
图1为适用于圆铁环的扩膜机构的结构示意图。
图2为适用于圆铁环的扩膜机构的侧视图。
图3为适用于圆铁环的扩膜机构的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造