[发明专利]一种氧化镓器件隔离区的制备方法有效
| 申请号： | 201811450087.7 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109585273B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;王元刚;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 器件 隔离 制备 方法 | ||
1.一种氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，包括：
在氧化镓材料上淀积掩膜层；
去除所述掩膜层的预设部分区域；
利用高温氧化技术，在所述氧化镓材料上与所述预设部分区域对应的位置制备所述隔离区，所述隔离区位于所述氧化镓器件的有源区之间；
去除所述氧化镓材料上剩余的掩膜层；
其中，所述高温氧化技术，包括：在氧气氛围中高温退火，退火温度大于等于300℃，退火时间大于等于30s；
其中，所述隔离区为无电子隔离区。
2.如权利要求1所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述隔离区数量大于等于1。
3.如权利要求2所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述隔离区的深度相同。
4.如权利要求2所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述隔离区的深度不相同。
5.如权利要求1所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，在所述去除所述掩膜层的预设部分区域之后，还包括：
浅刻蚀所述氧化镓材料上的隔离区。
6.如权利要求5所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述浅刻蚀的深度小于等于100nm。
7.如权利要求1所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述掩膜层为金属、绝缘介质或半导体材料。
8.如权利要求1所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层的预设部分区域，包括：
利用光刻、显影和干法刻蚀去除所述掩膜层的预设部分区域。
9.如权利要求1所述的氧化镓器件隔离区的制备方法，其特征在于，所述去除所述掩膜层的预设部分区域，包括：
利用光刻、显影和湿法刻蚀去除所述掩膜层的预设部分区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
