[发明专利]一种氧化镓器件隔离区的制备方法

说明书

本发明公开了一种氧化镓器件隔离区的制备方法，包括：在氧化镓材料上淀积掩膜层；去除所述掩膜层的预设部分区域；利用高温氧化技术，在所述氧化镓材料上与所述预设部分区域对应的位置制备所述隔离区，所述隔离区位于所述氧化镓器件的有源区之间；去除所述氧化镓材料上剩余的掩膜层。本发明通过高温氧化技术制备隔离区，避免了隔离区制备过程中对氧化镓器件造成的损伤，实现了氧化镓器件有源区之间的隔离。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种氧化镓 器件隔离区的制备方法。

背景技术

氧化镓 器件中一般通过制备隔离区将有源区之间隔离。现有的隔离区的制备方法通常采用深槽刻蚀技术实现的，深槽刻蚀技术刻蚀氧化镓 器件时的刻蚀功率大，且刻蚀速率大，对氧化镓 器件造成刻蚀损伤，造成有源区边缘易击穿。

发明内容

本发明实施例提供了一种氧化镓 器件隔离区的制备方法，旨在解决现有技术中隔离区制备过程中对氧化镓 器件造成损伤的问题。

本发明实施例提供了一种氧化镓 器件隔离区的制备方法，包括：

在氧化镓 材料上淀积掩膜层；

去除所述掩膜层的预设部分区域；

利用高温氧化技术，在所述氧化镓 材料上与所述预设部分区域对应的位置制备所述隔离区，所述隔离区位于所述氧化镓 器件的有源区之间；

去除所述氧化镓 材料上剩余的掩膜层。

在一个实施例中，所述高温氧化技术，包括：在氧气氛围中高温退火，退火温度大于等于300℃，退火时间大于等于30s。

在一个实施例中，所述隔离区数量大于等于1。

在一个实施例中，所述隔离区的深度相同。

在一个实施例中，所述隔离区的深度不相同。

在一个实施例中，在所述去除所述掩膜层的预设部分区域之后，还包括：

浅刻蚀所述氧化镓 材料上的隔离区。

在一个实施例中，所述浅刻蚀的深度小于等于100nm。

在一个实施例中，所述掩膜层为金属、绝缘介质或半导体材料。

在一个实施例中，所述去除所述掩膜层的预设部分区域，包括：

利用光刻、显影和干法刻蚀去除所述掩膜层的预设部分区域。

在一个实施例中，所述去除所述掩膜层的预设部分区域，包括：

利用光刻、显影和湿法刻蚀去除所述掩膜层的预设部分区域。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明通过高温氧化技术制备隔离区，避免了隔离区制备过程中对氧化镓 器件造成的损伤，实现了氧化镓 器件有源区之间的隔离。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的一个实施例提供的氧化镓 器件隔离区的制备方法的流程示意图；

图2为本发明的一个实施例提供的有一个隔离区时生成掩膜层的结构示意图；

图3为本发明的一个实施例提供的有一个隔离区时去除预设部分区域的结构示意图；

图4为本发明的一个实施例提供的有一个隔离区时制备隔离区的结构示意图；