[发明专利]一种纳米薄膜材料在审
| 申请号： | 201811450387.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261492A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈莉芳 | 申请（专利权）人： | 余姚市晶鹏光伏发电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/477;H01L21/683;H01L31/18;H01L31/032;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315420 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米薄膜材料，其特征在于，包括以下步骤：(1)NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50μm、纯度为99.99％的Ni箔在通有10sccmH2和20sccmAr的低压气氛中，450-550℃退火25-35min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整个沉积过程中，真空度保持在1×10-4-3×10-4Pa；随后将ZnSe/Ni箔在1.5×10-4-2.5×10-4Pa的真空度下650-750℃退火25-35min，得到NiSe纳米膜；(2)NiSe纳米薄膜的转移：在50μm厚的Ni箔表面得到的NiSe纳米薄膜上旋涂浓度为80-120mg/mlPMMA。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
