[发明专利]一种纳米薄膜材料

说明书

本发明公开了一种纳米薄膜材料，其包括NiSe纳米薄膜的制备、NiSe纳米薄膜的转移、NiSe纳米薄膜光探测器的构筑等步骤。本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，晶粒尺寸大，晶界数量少；基于本发明高质量的NiSe纳米薄膜制备的光电探测器，获得的光电流比NiSe纳米晶薄膜提高了4个数量级；本发明制备工艺简单，成本低廉，具有较好的实用价值，而且这种方法可以被用来制备其他与传统平面工艺兼容的非层状结构材料纳米薄膜。

技术领域

本发明属于半导体薄膜材料领域，涉及一种通过固相反应法制备纳米薄膜材料。

背景技术

由于具有独特的结构和性能，石墨烯和其他二维材料包括六方相氮化硼和过渡金属硫化物等，引起了广泛的关注。尤其通过化学气相沉积等方法可以在特定基底上制备出高质量、大面积的二维薄膜，这显著加快了二维材料的应用发展。受层状结构二维材料的启发，可以预见非层状结构材料的纳米薄膜与传统平面工艺相兼容，相比于他维度，更有利于其应用。而且，与纳米晶构成的薄膜相比，所制备出的具有大尺寸晶粒的非层状结构纳米薄膜拥有更优越的性能，这是因为晶界会引起电子的散射。层状结构材料在层内有较强的横向化学键，而在层之间有较弱的范德华力，这在形核和生长过程中，使得原子更容易生长成二维薄膜。而非层状结构的材料是在三个方向上都具有很强的原子键，从而使其缺乏内在各向异性生长驱动力，造成非层状结构纳米薄膜的生长很难实现。非层状结构材料的二维超薄纳米片和非层状结构纳米薄膜已经分别通过湿化学模板法和剥离的方法制备出来，但是尺寸分别仅限制在几百纳米和几微米之内。大面积非层状结构材料的纳米薄膜可以通过分子束外延法在单晶基底外延生长得到，但是成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种纳米薄膜材料。本发明提供的这种纳米薄膜的生长方法工艺简单，成本低廉，具有较强的实用价值，而且可以被用来制备与传统平面工艺兼容的其他非层状结构材料纳米薄膜。

为实现上述目的，本发明采用如下的技术方案：

一种纳米薄膜材料，包括以下步骤：

(1)NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50μm、纯度为99.99％的Ni箔在通有10sccmH2和20sccmAr的低压气氛中，450-550℃退火25-35min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整个沉积过程中，真空度保持在1×10-4-3×10-4Pa；随后将ZnSe/Ni箔在1.5×10-4-2.5×10-4Pa的真空度下650-750℃退火25-35min，得到NiSe纳米膜；

(2)NiSe纳米薄膜的转移：在50μm厚的Ni箔表面得到的NiSe纳米薄膜上旋涂浓度为80-120mg/ml PMMA，旋涂条件为：先在400-600r/min的转速下匀胶甩胶5-7s，然后在1500-2500r/min的转速下匀胶30-50s；旋涂完之后放置于加热台上70-90℃烘烤4-6min；然后将PMMA/NiSe/Ni箔放入2.0mol/LFeCl3的溶液中刻蚀Ni箔；在Ni箔刻蚀完之后，将PMMA/NiSe膜放置于去离子水中清洗其表面残留的FeCl3刻蚀液；接着，将SiO2/Si基底捞起PMMA支撑的NiSe纳米薄膜；待完全风干后，将PMMA/NiSe/SiO2/Si放置于通有10sccmH2和20sccmAr的低压气氛中，350-450℃退火1-3h除去PMMA，即得到了转移至SiO2/Si基底上的NiSe纳米薄膜；

(3)NiSe纳米薄膜光探测器的构筑：在NiSe纳米薄膜转移至SiO2/Si基底上后，利用光刻的方法构造出长度为5μm，宽度为10μm的沟道；通过高真空热蒸发系统沉积10/35nmCr/Au来制作电极。

本发明的有益效果：

(1)本发明通过固相反应法生长得到的非层状结构的NiSe纳米薄膜质量好，晶粒尺寸大，晶界数量少。