[发明专利]半色调掩膜版制作方法在审

专利信息
申请号: 201811452002.9 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109254493A 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 杜武兵;林伟;吕振群 申请(专利权)人: 深圳市路维光电股份有限公司
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 代理人: 黄莉
地址: 518057 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 显影 感光区 光阻层 显影区 遮光层 去除 剩余光阻层 透光 半色调 半透光 图形区 消化液 掩膜版 阻隔层 半透 感光 母板 蚀除 蚀刻 透光图形区 非感光区 光阻材料 灰化炉 基板 制作 残留
【权利要求书】:

1.一种半色调掩膜版制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供母板,所述母板包括基板以及自所述基板一侧表面由内至外依次形成的半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层;

对所述母板进行曝光,通过调整控制不同区域的曝光能量,在光阻层形成完全感光区、部分感光区和非感光区;

采用显影液去除完全感光区和部分感光区内的已感光的光阻材料而分别对应形成完全显影区和部分显影区;

采用蚀刻液依次蚀除所述完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区;

采用消化液与所述部分显影区内侧的剩余光阻层反应完全而形成二次完全感光区;

采用显影液去除所述二次完全感光区内消化液与光阻材料的反应产物形成二次完全显影区;

采用蚀刻液蚀除所述二次完全显影区内侧的遮光层形成半透光图形区;

去除残留的光阻层,获得带有透光图形区和半透光图形区的半色调掩膜版成品。

2.如权利要求1所述的半色调掩膜版制作方法,其特征在于,所述消化液为具有氧化性且与光阻材料反应的强酸溶液。

3.如权利要求1所述的半色调掩膜版制作方法,其特征在于,所述采用蚀刻液依次蚀除所述完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区具体包括:

采用只与遮光层反应的第一蚀刻液蚀除完全显影区内侧的遮光层;

采用只与透光阻隔层反应的第二蚀刻液蚀除完全显影区内侧的透光阻隔层;

采用只与半透层反应的第三蚀刻液蚀除完全显影区内侧的半透层。

4.如权利要求1所述的半色调掩膜版制作方法,其特征在于,采用只与遮光层反应的第一蚀刻液蚀除所述二次完全显影区内侧的遮光层。

5.如权利要求1所述的半色调掩膜版制作方法,其特征在于,去除残留的光阻层时,采用能与光阻材料反应的脱膜液通过化学反应去除残留的光阻层。

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