[发明专利]半色调掩膜版制作方法

说明书

本发明实施例提供一种半色调掩膜版制作方法，包括以下步骤：提供母板，所述母板包括基板、半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层；在光阻层形成完全感光区、部分感光区和非感光区；去除已感光的光阻材料形成完全显影区和部分显影区；依次蚀除完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区；采用消化液与部分显影区内侧的剩余光阻层反应完全形成二次完全感光区；去除二次完全感光区内的反应产物形成二次完全显影区；蚀除二次完全显影区内侧的遮光层形成半透光图形区；去除残留的光阻层。本发明实施例用消化液与部分显影区内侧的剩余光阻层反应形成二次完全感光区，即可再通过显影、蚀刻形成半透光图形区，无需灰化炉，成本低。

技术领域

本发明实施例涉及掩膜版技术领域，尤其涉及一种半色调掩膜版制作方法。

背景技术

传统的TFT-LCD制作技术，在阵列基板制作过程中通常采用半色调掩膜版来提高制作效率。现行的半色调掩膜版制作方法包括上置型法、下置型法以及干法灰化法，其中，干法灰化法是通过对在基板表面由内至外成型半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层而获得的母板依次进行光刻、显影、蚀刻、灰化炉灰化、二次蚀刻和去胶等工艺操作完成，由于需要使用灰化炉来进行灰化处理，设备昂贵，成本较高。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半色调掩膜版制作方法，能低成本的制作半色调掩膜版。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：一种半色调掩膜版制作方法，包括以下步骤：

提供母板，所述母板包括基板以及自所述基板一侧表面由内至外依次形成的半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层；

对所述母板进行曝光，通过调整控制不同区域的曝光能量，在光阻层形成完全感光区、部分感光区和非感光区；

采用显影液去除完全感光区和部分感光区内的已感光的光阻材料而分别对应形成完全显影区和部分显影区；

采用蚀刻液依次蚀除所述完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区；

采用消化液与所述部分显影区内侧的剩余光阻层反应完全而形成二次完全感光区；

采用显影液去除所述二次完全感光区内消化液与光阻材料的反应产物形成二次完全显影区；

采用蚀刻液蚀除所述二次完全显影区内侧的遮光层形成半透光图形区；

去除残留的光阻层，获得带有透光图形区和半透光图形区的半色调掩膜版成品。

进一步的，所述消化液为具有氧化性且与光阻材料反应的强酸溶液。

进一步的，所述采用蚀刻液依次蚀除所述完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区具体包括：

采用只与遮光层反应的第一蚀刻液蚀除完全显影区内侧的遮光层；

采用只与透光阻隔层反应的第二蚀刻液蚀除完全显影区内侧的透光阻隔层；

采用只与半透层反应的第三蚀刻液蚀除完全显影区内侧的半透层。

进一步的，采用只与遮光层反应的第一蚀刻液蚀除所述二次完全显影区内侧的遮光层。

进一步的，去除残留的光阻层时，采用能与光阻材料反应的脱膜液通过化学反应去除残留的光阻层。

采用上述技术方案后，本发明实施例至少具有如下有益效果：本发明实施例采用消化液与所述部分显影区内侧的剩余光阻层反应而形成二次完全感光区，即可再通过显影、蚀刻等工艺去除二次完全感光区内侧表面剩余的光阻层和遮光层形成半透光图形区，不需要采用成本高昂的灰化炉，有效降低了制造成本。

附图说明