[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区和分别位于所述核心区在第一方向的相对两外侧的第一阶梯区和第二阶梯区，且所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠层，其中所述第一阶梯区具有在第二方向分离的第一分区阶梯结构区和第二分区阶梯结构区，所述第二阶梯区具有在所述第二方向分离的第三分区阶梯结构区和第四分区阶梯结构区，所述第一方向和所述第二方向是平行于所述衬底的两个正交方向；

处理所述堆叠层而在所述第一分区阶梯结构区形成第一阶梯结构，且在所述第二至第四分区阶梯结构区分别形成第二至第四初始阶梯结构，其中所述第一至第四初始阶梯结构位于所述堆叠层在深度方向上的第一部分；

处理所述第二至第四初始阶梯结构而分别形成第二至第四阶梯结构，所述第二至第四阶梯结构任意地位于所述堆叠层在深度方向上的第二部分至第四部分，所述第一部分至所述第四部分在所述堆叠层的深度方向从上到下依次排列。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述第二至第四初始阶梯结构而分别形成第二至第四阶梯结构的步骤包括：

在所述第一分区阶梯结构区、所述第三分区阶梯结构区以及所述核心区上覆盖第一掩模层；

处理所述第二和第四分区阶梯结构区的堆叠层而使所述第二和第四初始阶梯的深度下降，分别形成第二阶梯结构和第四中间阶梯结构，所述第二阶梯结构和第四中间阶梯结构位于所述堆叠层的所述第二部分；

在所述第一分区阶梯结构区、第二分区阶梯结构区和所述核心区上覆盖第二掩模层；以及

处理所述第三和第四分区阶梯结构区的堆叠层而使所述第三初始阶梯结构和第四中间阶梯结构的深度下降，分别形成第三和第四阶梯结构，所述第三阶梯结构位于所述堆叠层在深度方向上的所述第三部分，所述第四阶梯结构位于所述堆叠层的所述第四部分。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述第二至第四初始阶梯结构而分别形成第二至第四阶梯结构的步骤包括：

在所述第一分区阶梯结构区、第二分区阶梯结构区和所述核心区上覆盖第一掩模层；

处理所述第三和第四分区阶梯结构区的堆叠层而使所述第三和第四初始阶梯结构的深度下降，分别形成第三阶梯结构和第四中间阶梯结构，所述第三阶梯结构和第四中间阶梯结构位于所述堆叠层的所述第二部分；

在所述第一分区阶梯结构区、所述第三分区阶梯结构区以及所述核心区上覆盖第二掩模层；

处理所述第二和第四分区阶梯结构区的堆叠层而使所述第二初始阶梯结构和第四中间阶梯结构的深度下降，分别形成第二阶梯结构和第四阶梯结构，所述第二阶梯结构和位于所述堆叠层的所述第三部分，所述第四阶梯结构位于所述堆叠层的所述第四部分。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一分区阶梯结构区和第二分区阶梯结构区在所述第一阶梯区上交替分布；

所述第三分区阶梯结构区和第四分区阶梯结构区在所述第二阶梯区上交替分布。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一分区阶梯结构区和所述第三分区阶梯结构区关于所述核心区对称，所述第二分区阶梯结构区和所述第四分区阶梯结构区关于所述核心区对称。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一分区阶梯结构区至第四分区阶梯结构区中的分区数量为2-5个。

7.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一阶梯结构至所述第四阶梯结构的任一阶梯位于所述堆叠层的不同深度。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，处理所述第二和第四分区阶梯结构区的堆叠层而使所述第二和第四初始阶梯的深度下降的步骤包括：

刻蚀所述第二和第四分区阶梯结构区的堆叠层中预定数目的层，使所述第二和第四初始阶梯结构的各阶梯的深度下降。