[发明专利]一种X射线平板探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，该制备方法至少包括如下步骤：

1） 提供一设有非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域的基板，在所述基板上镀反射膜，形成反射层；

2） 在与基板的封装区域对应的所述反射层表面涂覆Frit胶，形成Frit封装层；

对所述Frit封装层进行预烧结，使所述Frit封装层与所述基板相粘结；

所述预烧结的升温曲线包括：升温至150～250℃并保温，用于Frit封装层中有机物脱碳处理；再升温至400～500℃保温，用于Frit封装层的致密化；随后自然冷却至室温；

3） 在与基板非封装区域对应的所述反射层表面制备闪烁体层；

4） 提供一可见光传感器，在与基板非封装区域对应的所述可见光传感器的表面形成黏胶层；

5） 将所述基板覆盖有所述闪烁体层的一面与所述可见光传感器覆盖有所述黏胶层的一面进行贴合；

6） 通过激光烧结基板的封装区域，将形成有所述闪烁体层的所述基板与表面覆盖有黏胶层的可见光传感器进行熔接密封，最终得到所述的X射线平板探测器。

2.根据权利要求1所述的X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，所述Frit封装层的制备方法包括但不限于丝网印刷法。

3.根据权利要求1所述的X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，所述激光烧结的气氛包括但不限于氧气、氮气、大气或真空；其中，大气的湿度小于等于10%。

4.一种采用如权利要求1-3中任一项所述的X射线平板探测器的制备方法制备得到的一种X射线平板探测器，所述X射线平板探测器包括：

基板，该基板包括非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域；

反射层，涂覆于所述基板下表面；

Frit封装层，形成于与基板的封装区域对应的所述反射层上；

闪烁体层，形成于与基板非封装区域对应的所述反射层上；

黏胶层，覆盖于与基板非封装区域对应的可见光传感器表面；

可见光传感器，位于所述Frit封装层上，与所述基板平行设置；

其中，所述Frit封装层将所述闪烁体层封装在所述基板与所述可见光传感器组成的密闭腔体内。

5.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述Frit封装层的材料包括玻璃料及其相应溶剂，玻璃料包含但不限于氧化锆、氧化钛、三氧化钼、二氧化硅、氧化锌和氧化铝中的任意一种或多种，相应溶剂包含但不限于乙醇、异丙醇的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述基板的材料包括但不限于玻璃，所述基板的厚度大于等于0.3mm小于等于0.5mm。

7.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于, 所述反射层的材料包括铝及银中的任意一种，所述反射层的厚度大于等于100nm小于等于500nm。

8.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述闪烁体层的材料包括但不限于碘化铯CsI、碘化铯掺铊CsI(TI)、碘化铯掺钠CsI(Na)中的任意一种。

9.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述闪烁体层的厚度大于等于100μm小于等于800μm。

10.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述黏胶层的材料包括但不限于光学透明薄膜，厚度大于等于25μm小于等于50μm。

11.根据权利要求4所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述可见光传感器包括但不限于非晶硅传感器、CMOS传感器、CCD传感器中的任意一种。