[发明专利]一种X射线平板探测器及其制备方法

说明书

本发明提供了一种X射线平板探测器及其制备方法。X射线平板探测器包括：基底，该基板包括非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域；反射层，涂覆于所述基板下表面；Frit封装层，形成于与基板的封装区域对应的所述反射层上；闪烁体层，形成于与基板非封装区域对应的所述反射层上；黏胶层，覆盖于所述可见光传感器表面；可见光传感器，位于所述Frit封装层上，与所述基板平行设置；其中，所述Frit封装层将所述闪烁体层封装在所述基板与所述可见光传感器组成的密闭腔体内。通过Frit封装闪烁体层，改善X射线平板探测器的封装密封性，提高在高温高湿环境条件下的可靠性和延长寿命。

技术领域

本发明涉及一种X射线探测器，尤其涉及一种采用Frit封装闪烁体的X射线平板探测器及其制备方法。

背景技术

平板探测器数字成像是20世纪90年代后期发展起来的新型射线无损检测技术。作为目前最先进的数字化成像技术，平板探测器有许多优点，例如无边缘几何畸变、存储方便可靠、动态范围及成像面积大、灵敏度和分辨率高、两字检测效率高、系统噪声小、应用灵活和实时成像等。它是目前唯一可以取代传统胶片照相的技术，近年来逐步在工业无损探伤领域中得到应用。

X射线平板探测器，通常包含可见光传感器及闪烁体层，其中闪烁体层是将X射线转换为可见光，从而被可见光传感器响应。闪烁体层通常采用的是掺铊碘化铯，然而碘化铯极易吸收空气中的水汽而潮解，碘化铯潮解后降低探测器的空间分辨率，造成图像模糊。因此，如何有效的封装碘化铯对于X射线平板探测器的图像至关重要。

本发明针对现有技术的不足，提出了一种采用Frit封装碘化铯闪烁体的X射线平板探测器及其制备方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提出了一种X射线探测器及其制备方法，通过Frit封装闪烁体能够改善X射线平板探测器的封装密封性，提高在高温高湿环境条件下的可靠性和延长寿命。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一X射线平板探测器，平板探测器包括：基板，该基板包括非封装区域以及包围所述非封装区域的封装区域；反射层，涂覆覆盖于所述基板下表面；Frit封装层，形成于与基板的封装区域对应的所述反射层上；闪烁体层，形成于与基板非封装区域对应的所述反射层上；黏胶层，覆盖于与基板非封装区域对应的所述可见光传感器表面；可见光传感器，位于所述Frit封装层上，与所述基板平行设置；其中，所述Frit封装层将所述闪烁体层封装在所述基板与所述可见光传感器组成的密闭腔体内。

可选地，所述Frit封装层的材料包括玻璃料及其相应溶剂，玻璃料包含但不限于氧化锆、氧化钛、三氧化钼、二氧化硅、氧化锌和氧化铝中的任意一种或多种，相应溶剂包含但不限于乙醇、异丙醇的一种或多种。

可选地，所述基板的材料包括但不限于玻璃，所述基板厚度大于等于0.3mm小于等于0.5mm。

可选地,所述反射层的可选材料包括但不限于铝、银，反射层的厚度大于等于100nm小于等于500nm。

可选地，所述闪烁体层的材料包括但不限于碘化铯CsI、碘化铯掺铊CsI(TI)、碘化铯掺钠CsI(Na)中的任意一种。

可选地，所述黏胶层的材料包括但不限于光学透明薄膜，厚度大于等于25μm小于等于50μm。

可选地，所述可见光传感器包括但不限于非晶硅传感器、CMOS传感器、CCD传感器中的任意一种。

本发明还提供了如上述任意一项所述的X射线探测器的制备方法，其制备方法至少包括如下步骤：

1)提供一设有非封装区域以及包围所述非封装区域的基板，在所述基板上镀反射膜，形成反射层；

2)在与基板的封装区域对应的所述反射层表面涂覆Frit胶，形成Frit封装层；