[发明专利]一种近红外荧光粉以及含该荧光粉的发光装置

权利要求书

1.一种近红外荧光粉，其特征在于，该荧光粉包含化学式为A_xR_pO_r:D_y的无机化合物，其中，

所述A元素选自Sc、Y、La、Lu和Gd元素中的一种或两种；

所述R元素包括Ga元素，并添加Al、B和In元素中的一种；

所述D元素包括Cr元素，并添加Ce、Eu、Tb、Bi、Dy、Yb、Pr、Nd和Er元素中的一种；

且参数x、p、r和y满足如下条件：0.8≤x≤1.2，0.8≤p≤1.2，2≤r≤4，0.0001≤y≤0.25；

该近红外荧光粉的发射主峰位于780-1600nm。

2.根据权利要求1所述的近红外荧光粉，其特征在于，所述参数x、p、r和y满足如下条件：(x+y)：p：r＝1：1：3。

3.根据权利要求1或2所述的近红外荧光粉，其特征在于，所述R元素中，Ga元素占所述R元素的摩尔含量比例大于等于30％。

4.根据权利要求3所述的近红外荧光粉，其特征在于，所述A元素为Sc元素。

5.一种制备权利要求1-4任一项所述近红外荧光粉的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)以选定的A、R和D元素所对应的化合物为原料，按选定的化学计量比混匀；所得混合物；

(2)将所得混合物在1200-1500℃，于空气或保护气氛中进行烧结2-10h，获得焙烧产物；所得焙烧产物经过破碎、研磨、分级和筛洗的后处理，即得所需近红外荧光粉。

6.根据权利要求5所述的制备所述近红外荧光粉的方法，其特征在于，所述A、R和D元素所对应的化合物包括氧化物、碳酸盐和/或硝酸盐。

7.一种发光装置，包含光源和发光材料，其特征在于，所述发光材料包括权利要求1-4中任一项所述的近红外荧光粉。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于，所述光源为发射峰值波长范围为350-500nm的半导体芯片。