[发明专利]一种近红外荧光粉以及含该荧光粉的发光装置有效

专利信息
申请号: 201811456914.3 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN110857389B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: 刘荣辉;刘元红;陈晓霞;马小乐;高慰;陈明月 申请(专利权)人: 有研稀土新材料股份有限公司
主分类号: C09K11/78 分类号: C09K11/78;C09K11/80;H01L33/50
代理公司: 北京中创云知识产权代理事务所(普通合伙) 11837 代理人: 肖佳
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 红外 荧光粉 以及 发光 装置
【说明书】:

本发明属于发光材料技术领域,尤其涉及一种近红外荧光粉,并进一步公开其制备方法,以及含该荧光粉的发光装置。本发明所述近红外荧光粉包括组成式为AxRpOr的无机化合物,该化合物以AxRpOr结构为基质,通过掺杂特定的稀土离子或过渡金属离子,制备的荧光粉的激发峰位于350‑750nm,在紫外光、蓝光或红光激发下呈现宽带发射,发射主峰位于700‑1600nm。通过离子取代等方式构筑固溶体,由于晶体场劈裂的影响,可制得不同发射波长的近红外荧光粉材料,不仅显著提升了荧光粉的发光强度,且实现了光谱的可调控性,进一步扩大其应用范围。

技术领域

本发明属于发光材料技术领域,尤其涉及一种近红外荧光粉,并进一步公开其制备方法,以及含该荧光粉的发光装置。

背景技术

近年来,随着近红外光谱技术在面部识别、虹膜识别、安防监控、激光雷达、健康检测、3D传感等领域的应用得到快速发展,近红外LED也因其具有指向性好、功耗低以及体积小等一系列优点已成为国际研究焦点。

目前,近红外LED的主要实现方式是采用近红外半导体芯片的方法,近红外芯片技术核心技术受国外垄断,且具有成本高、技术不成熟等问题。因此,推出蓝光芯片复合近红外发光材料的近红外LED,该复合封装的实现方式具有制备工艺简单、成本低、发光效率高等优点,在国际上受到广泛关注。因此,开发红外LED用不同波段的新型近红外发光材料,实现其多样化的应用需求迫在眉睫。

鉴于峰值波长位于780-1700nm的近红外荧光粉可用于食品检测,面部识别、虹膜识别、安防监控、激光雷达、健康检测和3D传感等多领域中,具有最为广泛的实际应用价值,可以满足不同应用的需求。由于钙钛矿型复合氧化物具有稳定的晶体结构,能够被半径相近的其他离子部分取代而保持其晶体结构基本不变。因此,以稀土离子与过渡金属离子掺杂的钙钛矿体系为研究对象,通过离子取代,构筑固溶体,制备发射主峰于780-1700nm范围的宽谱或者多谱近红外荧光粉,且以实现可调可控;通过改善反应条件,获得形貌良好且可控的晶粒,从而达到应用标准,具有较广泛的应用前景。

如中国专利CN107573937A公开了一类结构如MBO3:Cr3+硼酸盐荧光粉,其中M为Sc、Al、Lu、Gd或Y元素,该荧光粉可被蓝光(420-520nm)有效激发,能够发射700-920nm范围的近红外光。当M为Al、Lu、Gd或Y时,发射光谱均与M为Sc的发射光谱类似。此外,该专利主要致力于研究MBO3:Cr3+的制备方法,探讨反应温度与反应时间的影响,但对其光谱性能却并未探讨。

又如非专利文献《Photoluminescence Properties of a ScBO3:Cr3+Phosphorand Its Applications for Broadband Near-infrared LEDs》[J].RSC Adv,2018,8,12035-12042.公开了一种近红外荧光粉ScBO3:Cr3+,该荧光粉在蓝光芯片的激发下,呈现主峰位于800nm的近红外宽带发射,量子效率为65%。并采用该近红外荧光粉与蓝光芯片进行封装,近红外光的输出功率为26mW,其能量转换效率较低仅为7%。

可见,现有技术中开发的已知近红外粉MBO3:Cr3+,其发射主峰多位于800nm左右,不仅发射波长范围窄且发光强度较低,而且发射波长不具有可调控性,也限制了该荧光粉的应用范围和应用效果。

发明内容

为此,本发明所要解决的技术问题在于提供一种近红外荧光粉,该近红外荧光粉具有宽谱或者多谱发射,且光谱可调控,发光效率高的优势,能够满足面部识别、虹膜识别、安防监控、激光雷达、健康检测、3D传感等领域的材料性能要求。

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