[发明专利]微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法

权利要求书

1.一种微发光二极管阵列器件，其特征在于，包括：

微发光二极管阵列；

位于所述微发光二极管阵列上且覆盖所述微发光二极管的支撑层，所述支撑层为受热后易升华材料；及

位于所述支撑层远离所述微发光二极管阵列一侧的磁性材料层。

2.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列器件，其特征在于，所述微发光二极管阵列器件还包括：

位于所述支撑层与所述磁性材料层之间的保护层，用于阻挡磁性材料层在形成过程中对所述支撑层的冲击，所述保护层的材料为氧硅、氮硅中任意一种或任意组合。

3.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列器件，其特征在于，所述支撑层材料为升华温度为100℃～200℃的材料；和/或，

所述磁性材料层为软磁性材料，优选地，所述软磁性材料为Fe、Ni、Mn中的任意一种或任意组合。

4.根据权利要求1所述的微发光二极管阵列器件，其特征在于，所述微发光二极管阵列包括：

生长衬底；

位于所述生长衬底上的若干微发光二极管；

位于所述生长衬底与所述微发光二极管之间的粘结层，所述微发光二极管通过所述粘结层与所述生长衬底连接。

5.一种微发光二极管阵列器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供微发光二极管阵列；

在所述微发光二极管阵列上形成覆盖所述微发光二极管的支撑层；及

在所述支撑层远离所述微发光二极管阵列的一侧形成磁性材料层。

6.根据权利要求5所述的微发光二极管阵列器件的制作方法，其特征在于，

在所述微发光二极管阵列上形成覆盖所述微发光二极管的支撑层，包括：

所述支撑层采用蒸镀方式形成，所述支撑层为升华温度为100℃～200℃的材料。

7.根据权利要求5所述的微发光二极管阵列器件的制作方法，其特征在于，

在所述支撑层远离所述微发光二极管阵列的一侧形成磁性材料层，包括：

所述磁性材料层采用低温溅射方式形成，所述磁性材料层为软磁性材料，所述软磁性材料为Fe、Ni、Mn中的任意一种或任意组合。

8.根据权利要求5所述的微发光二极管阵列器件的制作方法，其特征在于，包括：

在所述磁性材料层与所述支撑层之间形成保护层，用于阻挡磁性材料层在形成过程中对所述支撑层的冲击，所述保护层的材料为氧硅、氮硅中任意一种或任意组合。

9.一种微发光二极管阵列器件转移方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一种转移装置，其中，转移装置包括：承载板；

位于所述承载板表面的若干电磁块及与电磁块一一对应连接的若干线圈；

与若干线圈连接的控制电路；

将转移装置移动至微发光二极管阵列器件上方；

将所述转移装置上的每一电磁块与所述微发光二极管阵列器件上的每一发光二极管对准；

开启所述转移装置中的控制电路；

控制所述转移装置中的线圈通电产生磁场以使每一电磁块产生磁性，吸附微发光二极管的磁性材料；

将吸附有所述微发光二极管阵列器件的转移装置移动至接收基板上方；

将所述微发光二极管阵列器件对准所述接收基板上的接收区域；及

将所述微发光二极管阵列器件放置在所述接收基板的接收区域。

10.根据权利要求9所述的微发光二极管阵列器件转移方法，其特征在于，所述微发光二极管阵列器件放置在所述接收基板的接收区域之后还包括：

对所述微发光二极管阵列器件进行加热使所述支撑层升华；

通过所述转移装置中的电磁块将所述微发光二极管上方的磁性材料与保护层吸走；

关闭所述控制电路；或

关闭所述转移装置中的控制电路；

对所述微发光二极管阵列器件进行加热使所述支撑层升华；

清洗所述微发光二极管以去除保护层与磁性材料层。