[发明专利]微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法

说明书

本发明提供微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法。阵列器件包括微发光二极管阵列；位于所述微发光二极管阵列上且覆盖所述微发光二极管的支撑层，所述支撑层为受热后易升华材料；位于所述支撑层远离所述微发光二极管阵列一侧的磁性材料层，以此实现在转移微发光二极管阵列器件时使其不受损伤以及在转移结束后易于清理的目的。

技术领域

本发明涉及微发光二极管阵列器件的转运，特别是涉及一种微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法。

背景技术

随着显示行业的快速发展，显示技术的不断更新迭代，微发光二极管(MicroLight-emitting Diodes，Micro-LED)显示技术有望成为下一代主流显示技术。Micro-LED显示技术比目前的OLED显示技术拥有更高的亮度、更好的发光效率以及更低的功耗，具有明显的技术优势。但在实际开发过程中仍存在很多的问题，其中，如何将大量的LED转移至驱动面板上且不会损坏LED表面是目前困扰量产的主要问题之一。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法，以实现在大量转移微发光二极管时，保护其不受损伤以及在转移结束后易于清理不损伤微发光二极管表面的目的。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：

提供一种微发光二极管阵列器件，包括：

微发光二极管阵列；

位于所述微发光二极管阵列上且覆盖所述微发光二极管的支撑层，所述支撑层为受热后易升华材料；及

位于所述支撑层远离所述微发光二极管阵列一侧的磁性材料层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种微发光二极管阵列器件的制作方法，所述方法包括：

提供微发光二极管阵列；

在所述微发光二极管阵列上形成覆盖所述微发光二极管的支撑层；及

在所述支撑层远离所述微发光二极管阵列的一侧形成磁性材料层。

为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种微发光二极管阵列器件转移方法，包括：

提供一种转移装置；

将转移装置移动至微发光二极管阵列器件上方；

将所述转移装置上的每一电磁块与所述微发光二极管阵列器件上的每一发光二极管对准；

开启所述转移装置中的控制电路；

控制所述转移装置中的线圈通电产生磁场以使每一电磁块产生磁性，吸附微发光二极管的磁性材料；

将吸附有所述微发光二极管阵列器件的转移装置移动至接收基板上方；

将所述微发光二极管阵列器件对准所述接收基板上的接收区域；及

将所述微发光二极管阵列器件放置在所述接收基板的接收区域。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在所述微发光二极管上方形成支撑层与磁性材料层，所述支撑层的材料升华温度为100℃～200℃的材料，如三羟甲基乙烷、蒽、芘、菲、并四苯、并五苯中的任意一种或组合，以此实现在转移微发光二极管阵列器件时使其不受损伤以及在转移结束后易于清理不损伤微发光二极管表面的目的。

附图说明

图1是本发明微发光二极管阵列器件第一实施例的结构示意图；

图2是本发明微发光二极管阵列器件第二实施例的结构示意图；