[发明专利]芯片塑封结构、晶圆片级塑封结构及其制造方法在审
申请号: | 201811459386.7 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111261589A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 塑封 结构 晶圆片级 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶圆片级塑封结构的制作方法,其特征在于,包括:
提供一晶圆,所述晶圆包含多颗底芯片;
将所述晶圆的外表面与载体粘接;
对所述晶圆进行切割,形成相互分离的多颗底芯片以及多颗晶圆边缘芯片;
拾取所述多颗晶圆边缘芯片;
使用模具对所述多颗底芯片进行塑封,形成塑封结构。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,对所述晶圆进行切割前,所述方法还包括:
将芯片堆栈组安装到所述底芯片上。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,使用模具对所述多颗底芯片进行塑封后,所述方法还包括:
将所述载体和所述塑封结构相互卸离。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,使用模具对所述多颗底芯片进行塑封,包括:
将所述多颗底芯片定位在模具的凹部内,所述模具的内径大于所述晶圆的外径;
使塑封材料流动到所述模具的凹部中;
使所述塑封材料固化。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,使用模具对所述多颗底芯片进行塑封,还包括:
使所述塑封材料包围搭载有芯片堆栈组的底芯片的侧表面,并同时覆盖所述晶圆的上表面。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述拾取所述多颗晶圆边缘芯片,还包括:
拾取测试不良的底芯片。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述将芯片堆栈组安装到所述底芯片上,包括:
仅在测试良好的底芯片上设置芯片堆栈组。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,将所述载体和所述塑封结构相互卸离,包括:
在不移除塑封材料的情况下使所述塑封结构从所述载体上卸离。
9.根据权利要8所述的制作方法,其特征在于,将所述晶圆的外表面与载体粘接,包括:
通过胶带将所述晶圆与所述载体粘接。
10.一种晶圆片级塑封封装结构,其特征在于,包括:
多颗底芯片;
芯片堆栈组,设置于所述多颗底芯片上,所述多颗底芯片之间具有间隙;
塑封材料,覆盖于所述底芯片的内表面上,且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。
11.根据权利要求10所述的结构,其特征在于,所述间隙的宽度为50μm至200μm。
12.根据权利要求11所述的结构,其特征在于,所述结构还包括:
载体,粘接在所述底芯片的外表面。
13.根据权利要求12所述的结构,其特征在于,所述底芯片包括控制器芯片或者硅中介板。
14.根据权利要求13所述的结构,其特征在于,所述芯片堆栈组之间通过硅通孔导通;和/或,所述底芯片的外表面设置有安装端子。
15.根据权利要求14所述的结构,其特征在于,所述底芯片与所述芯片堆栈组通过凸块或顶端设置有焊料的柱状凸块导通。
16.一种芯片塑封结构,其特征在于,所述结构根据如权利要求1至9任一项所述的晶圆片级塑封结构的制作方法制成,所述结构包括:
底芯片;
芯片堆栈组,设置于所述底芯片上;
塑封材料,覆盖于所述底芯片的内表面上,且所述塑封材料覆盖所述底芯片的侧表面。
17.根据权利要求16所述的结构,其特征在于,所述底芯片包括控制器芯片或者硅中介板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造