[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

绝缘层，形成在所述半导体衬底上；

半导体层，形成在所述绝缘层上；

杂质区域，形成在所述半导体层中；

插塞，形成在所述杂质区域上并且与所述杂质区域电连接；以及

元件隔离部分，形成在所述半导体衬底中，

其中，沟槽形成在所述元件隔离部分中，

其中，所述沟槽的底部部分的最低部分定位为低于所述半导体衬底的表面，以及

其中，第一侧壁间隔物形成在所述沟槽的侧部部分上，以覆盖所述绝缘层的侧表面。

2.根据权利要求1所述的器件，

其中所述元件隔离部分的一部分形成在所述第一侧壁间隔物和所述半导体衬底的侧表面之间。

3.根据权利要求1所述的器件，

其中所述第一侧壁间隔物与所述半导体衬底的侧表面直接接触。

4.根据权利要求1所述的器件，

其中所述插塞以跨越所述杂质区域和所述元件隔离部分的方式形成，以及

其中所述插塞的底部位于所述杂质区域和所述第一侧壁间隔物之上。

5.根据权利要求4所述的器件，

其中第一绝缘膜形成在所述杂质区域上，

其中由与所述第一绝缘膜不同的材料制成的层间绝缘膜形成在所述第一绝缘膜上，以及

其中所述插塞形成在所述层间绝缘膜和所述第一绝缘膜内。

6.根据权利要求5所述的器件，

其中所述元件隔离部分和所述层间绝缘膜由含有氧化硅膜的绝缘膜制成，以及

其中所述第一侧壁间隔物和所述第一绝缘膜由包含氮化硅膜的绝缘膜制成。

7.根据权利要求1所述的器件，

其中外延层形成在半导体层上；

其中所述杂质区域形成在所述半导体层和所述外延层中，以及

其中所述第一侧壁间隔物被形成为覆盖所述半导体层的侧表面和所述外延层的侧表面。

8.根据权利要求7所述的器件，

其中第一栅极电极形成在所述半导体层上；

其中第二侧壁间隔物形成在所述第一栅极电极的侧表面中；

其中所述第二侧壁间隔物的端部部分位于所述外延层之上，以及

其中硅化物层形成在所述外延层的从所述第一侧壁间隔物和所述第二侧壁间隔物露出的区域中。

9.根据权利要求8所述的器件，

其中，所述半导体器件被设置有第一区域和第二区域，所述第一区域包括所述绝缘层和所述半导体层，所述第二区域是与所述第一区域不同的另一区域，其中没有形成所述绝缘层和所述半导体层，

其中第二栅极电极形成在所述第二区域中的所述半导体衬底上；

其中第三侧壁间隔物形成在所述第二栅极电极的侧表面中，以及

其中所述第一侧壁间隔物、所述第二侧壁间隔物和所述第三侧壁间隔物由同一绝缘膜制成。