[发明专利]具有TSV结构的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

基板，包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

竖直堆叠芯片结构，安装在所述基板的所述第一表面上，所述竖直堆叠芯片结构包括第一半导体芯片和设置在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片；

第三半导体芯片，安装在所述基板的所述第一表面上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开；

封装模塑料，设置在所述基板的所述第一表面上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁；以及

电磁屏蔽层，沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸，

其中所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间，

其中所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连，并且与第一信号/电力通孔相连，

其中所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连，以及

其中所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二半导体芯片与第二信号/电力通孔相连，以及

其中所述第二信号/电力通孔不与所述电磁屏蔽层相连。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，还包括：

插入绝缘层，设置在所述第二半导体芯片和所述电磁屏蔽层之间并覆盖所述第二信号/电力通孔，

其中所述插入绝缘层不存在于所述电磁屏蔽层和所述第三半导体芯片之间。

4.根据权利要求2所述的半导体封装，还包括：

插入绝缘层，设置在所述第二半导体芯片和所述电磁屏蔽层之间且设置在所述第三半导体芯片和所述电磁屏蔽层之间，并且覆盖所述第二信号/电力通孔。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二半导体芯片不与信号/电力通孔相连。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第三半导体芯片与所述电磁屏蔽层接触。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二半导体芯片的上表面被所述封装模塑料暴露，并且其中所述封装模塑料覆盖所述第三半导体芯片的上表面。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述封装模塑料的一部分插入在所述竖直堆叠芯片结构与所述基板之间以及在所述第三半导体芯片与所述基板之间。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：

第一芯片间模塑料，设置在所述竖直堆叠芯片结构和所述基板之间；以及

第二芯片间模塑料，设置在所述第三半导体芯片和所述基板之间。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述基板是重分布层RDL基板或印刷电路板PCB基板。

11.一种半导体封装，包括：

基板，包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一半导体芯片，安装在所述基板的所述第一表面上并与多个第一通孔相连；

第二半导体芯片，安装在所述基板的所述第二表面上并与所述第一半导体芯片水平间隔开；

封装模塑料，设置在所述基板的所述第一表面上并覆盖所述第一半导体芯片的侧壁且覆盖所述第二半导体芯片的侧壁；以及

电磁屏蔽层，沿着封装模塑料的侧壁和封装模塑料的上表面延伸，并与所述多个第一通孔中的一些通孔相连。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中所述多个第一通孔包括第一接地通孔和第一信号/电力通孔，以及

其中所述电磁屏蔽层与所述第一接地通孔相连且不与所述第一信号/电力通孔相连。