[发明专利]具有TSV结构的半导体封装

说明书

一种半导体封装包括基板。包括两个半导体芯片的竖直堆叠芯片结构被安装在所述基板上。所述第三半导体芯片安装在所述基板上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸。所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间。所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连，并且与第一信号/电力通孔相连。所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连。所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月5日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0013809的优先权，并在此通过引用并入其全部公开的内容。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装，更具体地，涉及包括通孔(TSV)结构的半导体封装。

背景技术

半导体封装是包含一个或多个半导体集成电路的外壳。半导体封装负责保护集成电路免受冲击和腐蚀，从而为集成电路提供电接触，并且负责消散由集成电路产生的热量。正在开发现代半导体封装以包封较小的集成电路同时从中消散更多的热量。

发明内容

一种半导体封装包括：具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的基板。竖直堆叠芯片结构安装在所述基板的所述第一表面上。所述堆叠芯片结构包括第一半导体芯片和设置在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第三半导体芯片安装在所述基板的所述第一表面上并与所述堆叠芯片结构水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板的所述第一表面上并覆盖所述堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着所述封装模塑料的侧壁并沿着所述封装模塑料的上表面延伸。所述第一半导体芯片设置在所述第二半导体芯片和所述基板之间。所述第一半导体芯片与第一接地通孔相连，并且与第一信号/电力通孔相连。所述第二半导体芯片与第二接地通孔相连。所述电磁屏蔽层与所述第二接地通孔相连。

一种半导体封装包括：具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的基板。第一半导体芯片安装在所述基板的所述第一表面上并与多个第一通孔相连。第二半导体芯片安装在所述基板的所述第二表面上并与所述第一半导体芯片水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板的所述第一表面上并覆盖所述第一半导体芯片的侧壁且覆盖所述第二半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着封装模塑料的侧壁和封装模塑料的上表面延伸，并与多个第一通孔中的一些通孔相连。

一种半导体封装包括：具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面的基板。竖直堆叠芯片结构安装在所述基板的所述第一表面上。所述竖直堆叠芯片结构包括第一半导体芯片和设置在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片。所述第三半导体芯片安装在所述基板的所述第一表面上并与所述竖直堆叠芯片结构水平间隔开。封装模塑料设置在所述基板的所述第一表面上并覆盖所述竖直堆叠芯片结构的侧壁且覆盖所述第三半导体芯片的侧壁。电磁屏蔽层沿着所述封装模塑料的侧壁和上表面延伸。第二半导体芯片没置在所述竖直堆叠芯片结构的顶部。所述第一半导体芯片设置在第二半导体芯片和基板之间。第一半导体芯片与多个第一通孔相连。第二半导体芯片与多个第二通孔相连。多个第二通孔中的第二通孔的数量与多个第一通孔中的第一通孔的数量不同。所述电磁屏蔽层与所述第二通孔相连。

附图说明

通过参考附图详细描述本公开的示例性实施例，本公开的以上和其他方面和特征将变得更清楚，在附图中：

图1是示出了根据本公开的示例性实施例的半导体封装的示意图；

图2是示出了根据本公开的示例性实施例的半导体封装的示意图；

图3是示出了根据本公开的示例性实施例的半导体封装的示意图；

图4是示出了根据本公开的示例性实施例的半导体封装的示意图；