[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一晶种图案；

在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及

形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构，

其中，所述第一纳米棒结构包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒，

其中，所述多个纳米棒包括：

从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒，以及

形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒，所述多个上部纳米棒中的每个上部纳米棒是从相对于该上部纳米棒的相对较低的纳米棒生长的，

其中，所述模制结构包括：

围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面同时暴露所述最下部的纳米棒的第二上表面的最下部的模制层，以及

顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层，所述多个上部模制层分别对应于所述多个上部纳米棒，并且分别围绕所述多个上部纳米棒的侧表面，

其中，所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述最下部的纳米棒和所述最下部的模制层包括：

从所述第一晶种图案生长所述最下部的纳米棒；

形成覆盖所述最下部的纳米棒的所述第二侧表面和所述第二上表面的预备模制层；以及

通过去除所述预备模制层的一部分，形成暴露所述最下部的纳米棒的所述第二上表面的所述最下部的模制层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个上部纳米棒和所述多个上部模制层包括：

从所述最下部的纳米棒生长纳米棒；

形成围绕所述纳米棒的第三侧表面同时暴露所述纳米棒的第三上表面的模制层；以及

重复形成附加的纳米棒和附加的模制层。

4.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

通过去除所述第一纳米棒结构，在所述模制结构内形成孔；以及

在所述孔内形成垂直结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述孔还包括：在去除所述第一纳米棒结构之后，去除所述第一晶种图案。

6.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括：通过去除所述模制结构的一部分，形成暴露所述垂直结构的第三侧表面的一部分的空间。

7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括：

形成覆盖所述垂直结构的所述第三侧表面的所述一部分的电介质；以及

形成覆盖所述电介质的导电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述垂直结构包括沟道半导体层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个上部纳米棒包括：

具有第一长度的第一上部纳米棒；以及

具有与所述第一长度不同的第二长度的第二上部纳米棒。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

在所述衬底上形成与所述第一晶种图案间隔开的第二晶种图案；以及

在所述第二晶种图案上形成第二纳米棒结构，

其中，所述第二纳米棒结构与所述第一纳米棒结构同时形成，并且具有被所述模制结构围绕的第三侧表面。

11.根据权利要求10所述的方法，所述方法还包括：

通过去除所述第一纳米棒结构，同时使所述第二纳米棒不被去除，在所述模制结构内形成孔；

在所述孔内形成垂直结构；

通过去除所述模制结构的一部分，形成暴露所述垂直结构的第四侧表面的一部分的空间；

形成覆盖所述垂直结构的所述第四侧表面的所述一部分的电介质；以及

形成覆盖所述电介质的导电层，

其中，所述空间和所述导电层与所述第二纳米棒结构间隔开。