[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

提供了一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构。所述第一纳米棒结构可以包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒。所述多个纳米棒可以包括从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒和形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒。所述模制结构可以包括围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面的最下部的模制层和顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层。所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0168304的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

与示例实施例一致的装置和方法涉及形成半导体器件的方法，更具体地，涉及一种形成纳米棒结构的方法、使用该方法形成半导体器件的方法以及通过该方法形成的半导体器件。

背景技术

随着在半导体器件中高度集成的持续趋势，诸如孔和插塞的组成元件在不增加宽度的情况下稳步地增加厚度。可以通过使用光刻工艺形成掩模且然后使用掩模执行蚀刻工艺来形成这样的孔或插塞。当使用这种一般的蚀刻工艺时，在形成厚度增加的孔或插塞时可能存在限制。

发明内容

一个或更多个示例实施例提供了一种形成纳米棒结构的方法，所述纳米棒结构包括多个纳米棒，所述多个纳米棒具有由多个模制层围绕的侧表面。

本公开的一个方面可以提供使用形成纳米棒结构的方法形成半导体器件的方法。

根据示例实施例的一个方面，可以提供一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面且同时暴露所述第一纳米棒结构的第一上表面的模制结构。所述第一纳米棒结构可以包括顺序堆叠在所述第一晶种图案上的多个纳米棒。所述多个纳米棒可以包括从所述第一晶种图案生长的最下部的纳米棒和形成在所述最下部的纳米棒上的多个上部纳米棒，所述多个上部纳米棒中的每个上部纳米棒是从相对于所述上部纳米棒的相对较低的纳米棒生长的。所述模制结构可以包括：围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面且同时暴露所述最下部的纳米棒的第二上表面的最下部的模制层；以及顺序堆叠在所述最下部的模制层上的多个上部模制层。所述多个上部模制层可以分别对应于所述多个上部纳米棒，并且分别围绕所述多个上部纳米棒的侧表面。所述多个上部模制层中的至少一个上部模制层可以由与另一上部模制层的材料不同的材料形成。

根据示例实施例的一个方面，可以提供一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：在衬底上形成晶种图案；在所述衬底上形成与所述晶种图案交叠的纳米棒结构和围绕所述纳米棒结构的第一侧表面的模制结构；以及通过去除所述模制结构的第一部分，形成至少一个空间。每个所述纳米棒结构可以包括顺序堆叠的多个纳米棒。所述模制结构可以包括顺序堆叠的多个模制层并且分别对应于所述多个纳米棒。所述多个模制层中的至少一个模制层可以由与另一模制层的材料不同的材料形成。

根据示例实施例的一个方面，可以提供一种形成半导体器件的方法。形成半导体器件的方法可以包括：形成第一晶种图案；在所述第一晶种图案上形成第一纳米棒结构；以及形成围绕所述第一纳米棒结构的第一侧表面的模制结构。形成所述第一纳米棒结构和所述模制结构可以包括：从所述第一晶种图案生长最下部的纳米棒；形成围绕所述最下部的纳米棒的第二侧表面且同时暴露所述最下部的纳米棒的第一上表面的最下部的模制层；从所述最下部的纳米棒生长第一上部纳米棒；形成围绕所述第一上部纳米棒的第三侧表面且同时暴露所述第一上部纳米棒的第二上表面的第一上部模制层；通过重复形成附加的上部纳米棒和形成附加的上部模制层，形成多个第二上部纳米棒和多个第二上部模制层。所述多个第二上部模制层中的至少两个第二上部模制层可以由彼此不同的材料形成。