[发明专利]单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质

权利要求书

1.一种单晶硅等径生长的控制方法，其特征在于，所述方法包括：

获取第i个循环周期的PID初始值，所述PID初始值包括比例分量P的初始值、积分分量I的初始值和微分分量D的初始值，i≥1；

对所述第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到所述第i个循环周期的PID修正值，所述PID修正值包括比例分量P的修正值、积分分量I的修正值和微分分量D的修正值；

根据所述第i个循环周期的PID修正值控制所述第i个循环周期的晶体生长直径；

所述对所述第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到所述第i个循环周期的PID修正值包括：

设置所述第i个循环周期中比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数、所述积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数和微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数；根据所述比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述比例分量P的修正值；根据所述积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述积分分量I的修正值；根据所述微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述微分分量D的修正值；

所述设置所述第i个循环周期中比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数包括：

获取所述第i个循环周期的直径差值，所述直径差值为所述晶体目标直径与晶体实时直径的差值；将所述第i个循环周期直径差值的绝对值的1/100～1/2设置为所述比例分量P的目标阈值；将所述第i个循环周期中比例分量P的初始值的1/1000～1/10000设置为所述比例分量P的第一自适应参数；将所述第i个循环周期中比例分量P的初始值的1/10000～1/100000设置为所述比例分量P的第二自适应参数；

所述根据所述比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述比例分量P的修正值包括：

根据所述第i个循环周期的直径差值和所述比例分量P的目标阈值及对应的自适应参数，利用第一公式计算得到所述比例分量P的修正值，所述第一公式包括：

其中，表示所述第i个循环周期中比例分量P的修正值，表示所述第i个循环周期内比例分量P的初始值，表示所述第i个循环周期的直径差值，表示所述比例分量P的第一自适应参数，表示所述比例分量P的第二自适应参数，表示所述第i个循环周期中比例分量P的目标阈值，t表示循环周期的时长；

所述设置所述第i个循环周期中积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数包括：

获取所述第i个循环周期以及所述第i个循环周期之前M个循环周期的直径差值，M≤i-1；

计算M+1个循环周期中所有直径差值的平均值；

将所述平均值的1/100～1/2设置为所述积分分量I的目标阈值；

将所述第i个循环周期中积分分量I的初始值的1/1000～1/10000设置为所述积分分量I的第一自适应参数；

将所述第i个循环周期中积分分量I的初始值的1/10000～1/100000设置为所述积分分量I的第二自适应参数；

所述根据所述直径差值和所述积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述积分分量I的修正值包括：

根据所述直径差值和所述积分分量I的目标阈值及对应的自适应参数，利用第二公式，计算得到所述积分分量I的修正值，所述第二公式包括：

其中，表示所述第i个循环周期中积分分量I的修正值，表示所述第i个循环周期内积分分量I的初始值，表示M+1个循环周期中第j个循环周期的直径差值，表示M+1个循环周期中所有直径差值的绝对值的平均值，表示所述积分分量I的第一自适应参数，表示所述积分分量I的第二自适应参数，表示所述第i个循环周期中积分分量I的目标阈值，t表示循环周期的时长；

所述设置所述第i个循环周期中微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数包括：

获取所述第i个循环周期以及所述第i个循环周期之前M个循环周期的直径差值，M≤i-1；

计算M+1个循环周期中所有直径差值的标准差；

将所述标准差的1/100～1/2设置为所述微分分量D的目标阈值；

将所述第i个循环周期中微分分量D的初始值的1/1000～1/10000设置为所述微分分量D的第一自适应参数；

将所述第i个循环周期中微分分量D的初始值的1/10000～1/100000设置为所述微分分量D的第二自适应参数；

所述根据所述微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数，计算得到所述微分分量D的修正值包括：

根据所述直径差值和所述微分分量D的目标阈值及对应的自适应参数，利用第三公式，计算得到所述微分分量D的修正值，所述第三公式包括：

其中，表示所述第i个循环周期中微分分量D的修正值，表示所述第i个循环周期中微分分量D的初始值，表示M+1个循环周期中第j个循环周期的直径差值，表示所述第i个循环周期中微分分量D的目标阈值，表示所述微分分量D的第一自适应参数，表示所述微分分量D的第二自适应参数，t表示循环周期的时长。