[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片在审
| 申请号： | 201811465398.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109802023A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;张奕;董彬忠;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延片 减小 制备 磁控溅射 发光效率 吸光 沉积 发光 保证 阻挡 分解 生长 延伸 制造 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN多量子阱层；
在所述InGaN/GaN多量子阱层上生长P型AlGaN电子阻挡层；
在所述P型AlGaN电子阻挡层上生长AlN层，所述AlN层采用磁控溅射的方式沉积；
在所述AlN层上生长P型GaN层；
在所述P型GaN层上生长P型接触层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlN层的溅射时长为30～50s。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlN层的溅射厚度为10～20nm。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述AlN层的溅射温度为600～750℃。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述P型GaN层的生长厚度为10～20nm。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述P型GaN层的生长温度为900～950℃。
7.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述P型GaN层中的掺杂元素为Mg，所述P型GaN层中Mg的掺杂浓度为1019～1020cm-3。
8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述P型接触层的生长厚度为20～30nm。
9.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述P型接触层的生长温度为720～850℃。
10.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层、AlN层、P型GaN层以及P型接触层，所述InGaN/GaN多量子阱层包括交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层。
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