[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片

说明书

本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，属于发光二极管制造领域。在P型AlGaN电子阻挡层上通过磁控溅射的方式沉积AlN层，AlN层的生长质量较好可较好地阻挡P型AlGaN电子阻挡层中的缺陷，避免P型AlGaN电子阻挡层中的缺陷延伸至AlN层上的P型GaN层中，提高P型GaN层和P型接触层的晶体质量。P型GaN层的质量得到保证，因此可使得P型GaN层的厚度与温度减小，P型GaN层的晶体质量也可得到保证。P型GaN层的厚度的减小相应地可减轻P型GaN层的吸光情况，提高发光二极管的发光效率，而P型GaN层的温度的减小也可减轻InGaN/GaN多量子阱层中In元素的分解情况，最终提高发光二极管的发光。

技术领域

本发明涉及发光二极管制造领域，特别涉及一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片。

背景技术

发光二极管是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管，具有体积小、寿命长、功耗低等优点，目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。外延片是制作发光二极管的基础结构，外延片的结构包括衬底及在衬底上生长出的外延层。其中，外延层的结构主要包括：依次生长在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN电子阻挡层、P型GaN层及P型接触层。

而由于P型AlGaN电子阻挡层的质量较差，在P型AlGaN电子阻挡层上生长P型GaN层时，需要将P型GaN层的厚度生长到足够厚才可保证P型GaN层以及P型GaN层上生长的P型接触层的质量，但厚度较厚的P型GaN层吸光较为严重；而P型GaN层在温度较高时生长得到的质量较好，P型GaN层生长时较高的温度也会导致InGaN/GaN多量子阱层中In元素的分解，最终影响发光二极管的发光。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片，能够提高发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；

在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN多量子阱层；

在所述InGaN/GaN多量子阱层上生长P型AlGaN电子阻挡层；

在所述P型AlGaN电子阻挡层上生长AlN层，所述AlN层采用磁控溅射的方式沉积；

在所述AlN层上生长P型GaN层；

在所述P型GaN层上生长P型接触层。

可选地，所述AlN层的溅射时长为30～50s。

可选地，所述AlN层的溅射厚度为10～20nm。

可选地，所述AlN层的溅射温度为600～750℃。

可选地，所述P型GaN层的生长厚度为10～20nm。

可选地，所述P型GaN层的生长温度为900～950℃。

可选地，所述P型GaN层中的掺杂元素为Mg，所述P型GaN层中Mg的掺杂浓度为10¹⁹～10²⁰cm^-3。

可选地，所述P型接触层的生长厚度为20～30nm。

可选地，所述P型接触层的生长温度为720～850℃。