[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

导电反射层；

发光二极管外延结构，在该导电反射层上且具有一下表面；

致密层，位于该导电反射层与该发光二极管外延结构之间；

多层膜层，在该致密层与该导电反射层之间且直接接触该导电反射层，该多层膜层具有一上表面面向该下表面且未直接接触该下表面，该多层膜层之间相互黏结以形成一厚膜层，该厚膜层的厚度介于100μm至600μm；及

电极，直接接触该发光二极管外延结构且具有宽度小于该发光二极管外延结构的宽度；

其中，该致密层包含金属氧化物。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该多层膜层与该致密层的材料不同。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该多层膜层及该致密层包含氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化氟锡、氧化铝锌、或氧化锌镓。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该导电反射层由金属所组成。

5.如权利要求1所述的发光元件，其中该电极未与该下表面直接接触。

6.如权利要求1所述的发光元件，其中该导电反射层与该致密层具有相同的宽度。

7.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光二极管外延结构包含第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层，其中该第二导电型半导体层为n型且比该第一导电型半导体层更接近该下表面。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该上表面与该下表面具有相同的宽度。

9.如权利要求7所述的发光元件，其中该活性层包含双异质结构、双侧双异质结构或多层量子阱。