[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

本发明公开一发光元件，包含导电反射层；发光二极管外延结构，在导电反射层上且具有一下表面；致密层，位于导电反射层与发光二极管外延结构之间；多层膜层，在致密层与导电反射层之间且直接接触导电反射层，多层膜层具有一上表面面向下表面且未直接接触下表面；及电极，直接接触发光二极管外延结构且具有宽度小于发光二极管外延结构的宽度；其中，致密层与多层膜层包含金属氧化物。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201310226001.3，申请日：2013年06月07日，发明名称：发光元件及其制造方法)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一发光元件的制造方法，特别是涉及一具有一厚膜层的发光元件制造方法。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode,LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式将能量释放，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代的照明工具，已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

图1a是现有的发光元件结构示意图。如图1a所示，现有的发光元件100，包含有一透明基板11、一位于透明基板11上的半导体叠层12，以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上，其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含一第一导电型半导体层120、一活性层122，以及一第二导电型半导体层124。

此外，上述的发光元件100还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图1b为现有的发光装置结构示意图，如图1b所示，一发光装置200包含一具有至少一电路150的次载体(sub-mount)21；至少一焊料(solder)22位于上述次载体21上，通过此焊料22将上述发光元件100粘结固定于次载体21上并使发光元件100的基板11与次载体21上的电路150形成电连接；以及，一电连接结构24，以电连接发光元件100的电极14与次载体21上的电路150；其中，上述的次载体21可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种发光元件，包含导电反射层、发光二极管外延结构、致密层、多层膜层以及电极；发光二极管外延结构具有一下表面，多层膜层具有一上表面；发光二极管外延结构在导电反射层上，致密层位于导电反射层与发光二极管外延结构之间，多层膜层在致密层与导电反射层之间；多层膜层直接接触导电反射层，上表面面向下表面且未直接接触下表面，电极直接接触发光二极管外延结构且具有宽度小于发光二极管外延结构的宽度；其中，致密层与多层膜层包含金属氧化物。

附图说明

图1a为现有的发光元件结构示意图，图1b为现有的发光装置结构示意图；

图2a至图2g为本发明第一实施例制造流程结构示意图；

图3a至图3j为本发明第二实施例制造流程结构示意图；

图4为本发明第三实施例结构示意图。

符号说明

11：透明基板 12：半导体叠层

14：电极 20：发光元件

21：次载体 22：焊料

24：电连接结构 30：发光元件

40：灯泡 41：灯罩