[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基层；

低温多晶硅层，设于所述基层上方；

栅极绝缘层，覆于所述低温多晶硅层上；

栅极，设于所述栅极绝缘层上；

层间介质层，覆于所述栅极和所述栅极绝缘层上。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述低温多晶硅层具有源极区和漏极区；

所述阵列基板还包括：

接触孔，从所述层间介质层贯穿所述栅极绝缘层并延伸至所述低温多晶硅层，其中一所述接触孔对应所述源极区，另一所述接触孔对应所述漏极区；以及

源极和漏极，均设于所述层间介质层上，且所述源极通过一所述接触孔对应连接至所述源极区，所述漏极通过另一所述接触孔对应连接至所述漏极区。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基层包括：

基板；

遮光层，设于所述基板上，且所述遮光层对应于所述低温多晶硅层；

第一缓冲层，覆于所述遮光层上；

第二缓冲层，覆于所述第二缓冲层上，所述低温多晶硅层设于所述第二缓冲层上。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层为单层氧化硅。

5.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作基层；

形成低温多晶硅层于所述基层上；

沉积栅极绝缘层于所述基层上，且所述栅极绝缘层包覆所述低温多晶硅层；

形成栅极于所述栅极绝缘层上；

氢化低温多晶硅层；

形成层间介质层于所述栅极绝缘层上，且所述层间介质层包覆所述栅极。

6.如权利要求5所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在氢化低温多晶硅层步骤中包括：在温度为300℃-500℃的条件下，加入氢等离子体；

施加一电场，在所述电场作用下将氢等离子体解离成氢离子以使氢离子补充扩散至低温多晶硅层中。

7.如权利要求6所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述形成低温多晶硅层步骤中：所述低温多晶硅层具有源极区和漏极区，对所述源极区和所述漏极区进行N型重掺杂或P型掺杂。

8.如权利要求6所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在形成低温多晶硅层于所述基层上之后还包括以下步骤：

形成接触孔，所述接触孔从所述层间介质层贯穿所述栅极绝缘层并延伸至所述低温多晶硅层；

形成源极和漏极于所述层间介质层上，且所述源极通过一所述接触孔对应连接至所述源极区，所述漏极通过另一所述接触孔对应连接至所述漏极区。

9.如权利要求6所述的阵列基板制备方法，其特征在于，

在制作基层步骤包括：

提供基板；

形成遮光层于所述基板上，且所述遮光层对应于所述低温多晶硅层；

形成第一缓冲层于所述基板上，且覆于所述遮光层上；

形成第二缓冲层于所述第一缓冲层上，所述低温多晶硅层设于所述第二缓冲层上。

10.一种显示装置，包括如权利要求1-4任意一项所述的阵列基板。