[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述低温多晶硅包括基层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极以及层间介质层。所述低温多晶硅层设于所述基层上方。所述栅极绝缘层覆于所述低温多晶硅层上。所述栅极设于所述栅极绝缘层上。所述层间介质层覆于所述栅极和所述栅极绝缘层上。所述阵列基板制备方法在沉积层间介质层前对低温多晶硅层进行氢化，在氢化后的高温环境中直接沉积层间介质层，省去了现有技术中快速热退火法活化工艺，减少了工业流程，并且节约了能源及成本。所述显示装置采用了本发明的所述阵列基板，其具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低耗能等优点。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active MatrixOrganic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的重要驱动元件，直接关系平板显示装置的显示性能。

薄膜晶体管具有多种结构，制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种，低温多晶硅(Low temperature poly-silicon，简称LTPS)是其中较为优异的一种。低温多晶硅为多晶硅(Polycrystalline Silicon，简称p-Si)的一个分支。低温多晶硅具有高的电子迁移率，可以有效的减小薄膜晶体管的器件的面积，进而提升像素的开口率，增大面板显示亮度的同时可以降低整体的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。对平板显示而言，目前采用低温多晶硅技术的显示装置具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低耗能等优点，而且低温多晶硅可在低温下制作，并用于制作C-MOS电路，因此其已成为显示领域炙手可热的技术。

在现有的阵列基板制备方法椎间盘买个，其层间介质层通常采用氧化硅(SiO)+氮化硅(SiN)的双层结构设计，低温多晶硅在后续制备过程中也会因沉积等步骤而遭到破坏，形成悬空键，因此在阵列基板的制备过程中通常设有一步氢化步骤，在其层间介质层(Inter Level Dielectric，简称ILD)沉积完成后，采用快速热退火法(Rapid ThermalAnnealing,简称RTA)将层间介质层中氮化硅层的Si-H键断键后所形成的氢离子(H+)经过高温扩散，修补进低温多晶硅层中悬空键中。此制备方法需设置一层氮化硅层间介质层来进行氢化修补悬空键，提高了成本，并且制备工艺繁育复杂。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，以解决上述现有技术中阵列基板的制作工业繁复，成本高等问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，其包括基层、低温多晶硅层、栅极绝缘层、栅极以及层间介质层。所述低温多晶硅层设于所述基层上方。所述栅极绝缘层覆于所述低温多晶硅层上。所述栅极设于所述栅极绝缘层上。所述层间介质层覆于所述栅极和所述栅极绝缘层上。

进一步地，所述低温多晶硅层具有源极区和漏极区。所述阵列基板还包括接触孔以及源极和漏极；

所述接触孔，从所述层间介质层贯穿所述栅极绝缘层并延伸至所述低温多晶硅层，其中一所述接触孔对应所述源极区，另一所述接触孔对应所述漏极区；

所述源极和所述漏极均设于所述层间介质层上，且所述源极通过一所述接触孔对应连接至所述源极区，所述漏极通过另一所述接触孔对应连接至所述漏极区。

进一步地，所述基层包括基板、遮光层、第一缓冲层以及第二缓冲层。所述遮光层设于所述基板上，且所述遮光层对应于所述低温多晶硅层。所述第一缓冲层覆于所述遮光层上。所述第二缓冲层覆于所述第二缓冲层上，所述低温多晶硅层设于所述第二缓冲层上。

进一步地，所述层间介质层为单层氧化硅。

本发明还提供一种阵列基板制备方法，其包括以下步骤：