[发明专利]一种阵列基板及液晶显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，其上形成有显示区和非显示区；其中，

所述非显示区上设有镭射切割线、第一金属标记和第二金属标记；

所述第一金属标记设置于所述镭射切割线朝向所述显示区的一侧，其通过一金属走线串接成闭环后，与外部预置的IC相连，并通过相连的IC接地将静电载荷进行释放；

所述第二金属标记设置于所述镭射切割线远离所述显示区的一侧，其通过另一金属走线串接成闭环。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属标记为单层金属结构或双层金属结构；所述第二金属标记为单层金属结构或双层金属结构。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：串接在所述第一金属标记形成的闭环中的第一电阻；其中，

当所述第一金属标记为单层金属结构时，在单层金属结构的第一金属标记形成的闭环中，直接串接所述第一电阻；

当所述第一金属标记为双层金属结构时，在双层金属结构的第一金属标记形成的两个独立的闭环中的任一个中，直接串接所述第一电阻；或在双层金属结构的第一金属标记形成的两个独立的闭环中，分别对应串接所述第一电阻。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：串接在所述第二金属标记形成的闭环中的第二电阻；其中，

当所述第二金属标记为单层金属结构时，在单层金属结构的第二金属标记形成的闭环中，直接串接所述第二电阻；

当所述第二金属标记为双层金属结构时，在双层金属结构的第二金属标记形成的两个独立的闭环中的任一个中，直接串接所述第二电阻；或在双层金属结构的第二金属标记形成的两个独立的闭环中，分别对应串接所述第二电阻。

5.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为采用低温多晶硅技术构造的阵列基板，其中，

当所述第一金属标记为单层金属结构时，所述单层金属结构的第一金属标记与所述显示区中遮光层、栅极、源漏极、阳极之中任意一个位于同一层上；

当所述第一金属标记为双层金属结构时，所述双层金属结构的第一金属标记的两层金属与所述显示区中遮光层、栅极、源漏极、阳极之中任意两个所处的层间位置分别对应；

当所述第二金属标记为单层金属结构时，所述单层金属结构的第二金属标记与所述显示区中遮光层、栅极、源漏极、阳极之中任意一个位于同一层上；

当所述第二金属标记为双层金属结构时，所述双层金属结构的第二金属标记的两层金属与所述显示区中遮光层、栅极、源漏极、阳极之中任意两个所处的层间位置分别对应。

6.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为采用非晶硅技术构造的双栅结构的阵列基板，其中，

当所述第一金属标记为单层金属结构时，所述单层金属结构的第一金属标记与所述显示区中顶栅、底栅、源漏极之中任意一个位于同一层上；

当所述第一金属标记为双层金属结构时，所述双层金属结构的第一金属标记的两层金属与所述显示区中顶栅、底栅、源漏极之中任意两个所处的层间位置分别对应；

当所述第二金属标记为单层金属结构时，所述单层金属结构的第二金属标记与所述显示区中顶栅、底栅、源漏极之中任意一个位于同一层上；

当所述第二金属标记为双层金属结构时，所述双层金属结构的第二金属标记的两层金属与所述显示区中顶栅、底栅、源漏极之中任意两个所处的层间位置分别对应。